Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U010263, 0116U005291 , Науково-дослідна робота Назва роботи Мікро- і наноелектронні джозефсонівські гетероструктури з внутрішнім шунтуванням Назва етапу роботи Керівник роботи Білоголовський Михайло Олександрович, Дата реєстрації 26-12-2016 Організація виконавець Донецький національний університет імені Василя Стуса Опис етапу Теоретично і експериментально вивчено вплив поверхневої деградації надпровідних електродів на квазічастинковий і джозефсонівський струм в гетероструктурах з внутрішнім шунтуванням. Виявлено фізичний механізм, відповідальний за ефект біполярного резистивного перемикання в контактах, створених металевим електродом з тонкими плівками ітрій-барієвого купрату. Встановлено, що додатковий нормальний прошарок всередині джозефсонівського контакту з внутрішнім шунтуванням не впливає суттєвим чином на його безгістерезисні вольт-амперні характеристики. Відповідні виміри вольт-амперних характеристик за допомогою двох методів - скануючої резистивної мікроскопії та скануючої тунельної мікроскопії - виявили протилежну (відносно попередніх даних для плоских двошарових структур) полярність напруги в ефекті перемикання. Порівняння з теоретичними розрахунками показує, що гістерезисні явища в вольт-амперних кривих гетероструктур на основі складних оксидів перехідних металів можна пояснити міграцією кисневих вакансій в області інтерфейсу між металевим електродом і оксидною плівкою. Опис продукції Запропоновано універсальний квантово-механічний метод розрахунку основних характеристик зарядового транспорту крізь нанорозмірні невпорядковані ізолюючі шари в квантово-когерентному і некогерентному режимах. Досліджено теоретично вольт-амперні характеристики гібридних гетероструктур на основі металевих плівок із різним електронним впорядкуванням (нормальних, феромагнітних і надпровідникових). Експериментально і теоретично досліджено механізм впливу спінової інжекції на критичний струм в надпровідникових нанорозмірних шарах. З’ясовано природу широкого резистивного переходу в надпровідникових плівках, який є результатом появи в них вихорів Пірла та ліній проковзування фази параметра порядку внаслідок теплового збудження або квантового тунелювання. Автори роботи Житлухіна Олена Сергіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити