Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0216U010324, 0116U005667 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Р.В., Дата реєстрації 03-01-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Запропоновано новий механізм струмопереносу, згідно якого відповідальними за струмопроходження у контакті до напівпровідника з великою концентрацією дислокацій на межі розділу є металеві шунти, суміщені з дислокаціями, при обмеженні струму дифузійним підводом електронів. З використанням структурних і морфологічних досліджень контактів до сильно легованого n-Si показано, що в процесі формування омічного контакту в тонкому шарі Si при відпалі при Т = 450°С протягом 10 хвилин виникає висока густина структурних дефектів, зокрема, дислокаційних петель (до1010 см-2). За допомогою металографічного аналізу показано, що при відпалюванні контакту ще до виникнення рекристалізованого шару можливе формування металевих шунтів. Запропоновано метод визначення питомого контактного опору при дослідженні вертикальних структур з контактом метал-n+ Si і сходинками легування n+-n і n-n+, який базується на розв'язку рівняння Лапласа. За допомогою зазначеного методу було визначено контактний опір омічних контактів Au-Ti-Pd-n+-n-n+ -Si, який складає біля 10-6 Ом см2. Запропонований метод дозволяє контролювати процес формування меза-структури шляхом дослідження зміни електрофізичних властивостей структури між циклами травлення. Шляхом електрофізичних досліджень показано, що в усіх досліджених зразках шліфованого або полірованого кремнію спостерігається зростання питомого контактного опору з ростом температури, що вказує на реалізацію запропонованого механізму струмопереносу. Опис продукції Розроблено новий механізм струмопереносу, проведено чисельне моделювання омічного контакту до напівпровідника зі сходинкою легування, досліджено експериментальні зразки з врахуванням нової моделі. Показано перспективність використання даних обрахунків під час формування меза-структури в виробництві Автори роботи Дуб М.М. Капітанчук Л.М. Кудрик Я.Я. Міленін В.Г. Охріменко О.Б. Редько Р.А. Редько С.М. Романець П.М. Сай П.О. Саченко А.В. Сліпокуров В.С. Шинкаренко В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити