Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U000083, 0112U000895 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження гетерних властивостей радіаційних дефектів у напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 17-01-2017 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - високоомний монокристалічний кремній та легований ізовалентними домішками, опромінений ядерними частинками. Мета роботи - отримання даних про просторовий розподіл радіаційних дефектів, їх взаємодії з домішками і ростовими дефектами в кремнії до і за областю гальмування високоенергетичних іонів (Н, Не). Визначити механізм впливу опромінення легкими прискореними іонами на утворення і відпал дефектів в області пробігу і в запробіжній частині кристалів кремнію та, сформулювати рекомендації щодо використання радіаційно-термічної обробки кремнію для модифікації його властивостей в тонких шарах кристалів. Результати дослідження: Порівняльні дослідження дії протонів і нейтронів на монокристали кремнію показали однакову ефективність введення складних радіаційних дефектів, типу областей розупорядкування, а ефективність введення точкових дефектів типу А-центрів при протонному опроміненні на 2-3 порядки вища. В області гальмування протонів з енергією 43 МеВ в кремнії, відпаленому при 800°С спостерігається утворення дислокацій та їх скупчень. При підвищенні температури відпалу до ~900-1000°С в прошарках росту всього зразка кремнію відбувається утворення частинок нової фази і дефектів, що їх супроводжують. Цей ефект спостерігався при температурі на 50°С нижчій в запробіжній для протонів частині кристалу, ніж в пробіжній. Запропонована модель модифікації основних рівнів відомих радіаційних дефектів в кремнії і германії. Модифікація вакансійних дефектів не змінює енергію нейтрального рівня дефекту в забороненій зоні кремнію і германію. Досліджено вплив магнітного поля з індукцією до 14 Тл та опромінення гама-квантами (випромінювання 60Co) з дозами до 1,2*1018 кв/см2 на електропровідність НК Si1-xGex (х=0,03) з питомим опором = 0,008-0,025 Омхсм в інтервалі температур 4,2-300 К. Встановлено, що опір кристалів слабо змінюється в процесі опромінення, тоді як спостерігаються істотні зміни магнетоопору. Показано, що виявлені зміни магнетоопору пов'язані з виникненням дефектів у процесі опромінення, які зумовлюють делокалізацію носіїв заряду у домішковій зоні кристалу. Опис продукції Отримано дані про просторовий розподіл радіаційних дефектів, їх взаємодію з домішками і ростовими дефектами в кремнії до і за областю гальмування високоенергетичних іонів (Н, Не). Визначено механізм впливу опромінення легкими прискореними іонами на утворення і відпал дефектів в області пробігу і в запробіжній частині кристалів кремнію та сформульовані рекомендації щодо використання радіаційно-термічної обробки кремнію для модифікації його властивостей в тонких шарах кристалів. Автори роботи Барабаш Людмила Іванівна Бердниченко Світлана Василівна Варніна Валентина Іванівна Васильківський Анатолій Степанович Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Долголенко Олександр Петрович Конорева Оксана Володимирівна Кочкін Василій Іванович Ластовецький Володимир Францевич Макуха Олександр Миколайович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Полівцев Леонід Анлрійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити