Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U000085, 0112U000895 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження гетерних властивостей радіаційних дефектів у напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 17-01-2017 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові бінарні сполуки та їх тверді розчини, опромінені ядерними частинками. Мета роботи - дослідити термічну стабільність простих і складних дефектів, введених різними видами проникаючої радіації, вивчити механізми, які обумовлюють виникнення довготривалих релаксійних процесів, що протікають в опромінених матеріалах і впливають на оптичне поглинання, випромінювальну рекомбінацію в бінарних напівпровідникових сполуках. Дослідити вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та а++-частинками з Е = 27 МеВ. Результати дослідження: 1. Виявлено зростання тунельної складової на ВАХ опромінених GaP-діодів. Збільшення тунельних струмів пов'язано із введенням рівнів радіаційних дефектів у збіднену область p-n-переходу. Особлива роль у зростанні безвипромінювальної компоненти належить міжрівневому тунелюванню носіїв. На діодах, опромінених гама-квантами Со60, виявлено ефект малих доз, в основі якого може лежати активація опроміненням нерівноважних дефектів структури. Визначальну роль у цьому процесі відіграють високі рівні іонізації атомів гратки. У зелених світлодіодах існує невеликий градієнт розподілу легуючих домішок. Опромінення спричиняє часткове вирівнювання неоднорідностей розподілу N(x). 2. Досліджувалися вольт-амперні характеристики (ВАХ) вихідних світлодіодів GaP та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, швидкими нейтронами реактора (Е = 2 МеВ) та а++-частинками з Е = 27 МеВ. Вимірювання проводились у автоматичному режимі в інтервалі температур 77 - 300 К. На низькотемпературних кривих ВАХ (Т< 90 К) виявлено N- та S-ділянки від'ємного диференційного опору. Зростання прямого струму на низьковольтній ділянці опромінених зразків зумовлене перерозподілом спаду напруг на базі та p-n-переході. Велике значення швидкості видалення носіїв при а++-опроміненні пов'язується з високим рівнем іонізації, характерним для такого виду частинок. Опис продукції Досліджено термічна стабільність простих і складних дефектів, введених різними видами проникаючої радіації, зміну параметрів і основних характеристик рівнів, пов'язаних з технологічними дефектами в кристалах та порушеннями радіаційної природи, вивчено механізми, які обумовлюють виникнення довготривалих релаксійних процесів, що протікають в опромінених матеріалах і впливають на оптичне поглинання, випромінювальну рекомбінацію в бінарних напівпровідникових сполуках. Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Васильківський Анатолій Степанович Воробйов Володимир Герасимович Гайдар Галина Петрівна Долголенко Олександр Петрович Конорева Оксана Володимирівна Кочкін Василь Іванович Ластовецький Володимир Францевич Литовченко Михайло Вадимович Макуха Олександр Миколайович Малий Євгеній Вікторович Марченко Лариса Сергіївна Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Шматко Галина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити