Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U000118, 0116U004736 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив акустоелектронної взаємодії на умови формування поверхневої надгратки при лазерному опроміненні GaAs, CdTe Назва етапу роботи Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-01-2017 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Досліджено роль акустоелектронних ефектів у формуванні нанорозмірних структур адатомів, що відбувається в результаті самоузгодженої взаємодії адатомів з поверхневою акустичною хвилею і електронною підсистемою, для випадку заряджених і незаряджених адатомів. Показано, що при фіксованому значенні концентрації адатомів збільшення ступеня легування напівпровідника донорними домішками приводить до збільшення критичної температури, нижче від якої відбуваються процеси самоорганізації. Опис продукції Досліджено роль акустоелектронних ефектів у формуванні нанорозмірних структур адатомів, що відбувається в результаті самоузгодженої взаємодії адатомів з поверхневою акустичною хвилею і електронною підсистемою, для випадку заряджених і незаряджених адатомів. Показано, що при фіксованому значенні концентрації адатомів збільшення ступеня легування напівпровідника донорними домішками приводить до збільшення критичної температури, нижче від якої відбуваються процеси самоорганізації. Автори роботи Білинський Ігор Васильович Бойчук Василь Іванович Британ Віктор Богданович Гадзаман Іван Васильович Даньків Олеся Омелянівна Крипак Анатолій Олексійович Кузик Олег Васильович Німецький Володимир Петрович Пелещак Іван Романовмч Пелещак Роман Михайлович Сенета Мар'яна Ярославівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити