Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U000235, 0116U007380 , Науково-дослідна робота Назва роботи Релаксаційні і фотоіндуковані ефекти в халькогенідних стеклах системи Ge-As-S(Se) Назва етапу роботи Керівник роботи Різак Василь Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 24-01-2017 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний університет" Опис етапу Досліджено загальні закономірності концентраційних змін параметрів процесів структурної релаксації в тонких плівках GexAsyS(Se)100-x-y; встановлено мік-роскопічні механізмі релаксаційних і фотоіндукованих ефектів у тонких плівках GexAsyS(Se)100-x-y; вивчено загальні закономірності зміни механічних параметрів халькогенідних плівок системи Ge-As-S(Se) під впливом лазерного опромінення. Опис продукції Одержані тонкі плівки GexAsyS(Se)100-x-у та досліджено динаміку фотоін-дукованих змін їх мікротвердості та нанотвердості. Отримано концентраційні залежності мікротвердості та нанотвердості тонких плівок системи Gex-AsyS(Se)100-x-у та залежність параметрів фотоіндукованих змін мікро- та нанот-вердості від середнього координаційного числа. Виявлена область зміни серед-нього координаційного числа в якій спостерігається максимальна фотоіндуко-вана зміна фізичних параметрів халькогенідних плівок. Отримані плівки Gex-AsyS(Se)100-x-у з максимальною чутливістю до лазерного опромінення та дослі-джені їх релаксаційні і фотоіндуковані ефекти. Проведена модифікація поверх-невого рельєфу халькогенідних плівок методом поєднання електронно-променевої літографії і лазерного опромінення. Отримано поверхневі структури, які менші ніж поперечний розмір електронного променя і довжина хвилі використаного лазерного променя. Автори роботи Біланич Віталій Степанович Стронський Олександр Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити