Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U000372, 0116U002528 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні засади функціонування нового покоління високоефективних детекторів на основі твердотільних наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 30-01-2017 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Вивчено оптичні та електричні явища, фотоелектричні ефекти на поверхні наноструктурованих напівпровідникових трансдюсерів з точки зору можливості їх застосування у сенсориці. Продемонстровано придатність сенсорної структури на основі глибокого p-n переходу для створення хімічних сенсорів із функцією селективності. Вивчено вплив модифікації поверхні нанокомпозитними матеріалами на властивості сенсорних структур. Експериментально (на основі імпедансної спектроскопії) показано, що сенсорні структури на основі наноструктурованого GaAs можна використовувати в якості датчиків на пари етанолу і ацетону з електричним принципом перетворення. Розроблено технології формування нанокристалів кремнію в матриці SiO2, наногетероструктури та досліджено вплив технологічних режимів на властивості нанокристалів. Досліджено механізми провідності в плівках SiOx, отриманих методом LPCVD. Створено автоматизований комплекс для in-situ контролю параметрів росту тонких шарів пористого кремнію. Опис продукції Вивчено оптичні та електричні явища, фотоелектричні ефекти на поверхні нанострктурованих напівпровідникових трансдюсерів з точки зору можливості їх застосування у сенсоріці. Вивчено вплив модифікації поверхні нанокомпозитними матеріалами на властивості сенсорних структур. Автори роботи Іванов Іван Іванович Гаврилко Максим Олександрович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Кисловець Олександр Сергійович Козинець Олексій Володимирович Костюкевич Олександр Миколайович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігорович Марін Володимир Володимирович Пилипова Ольга Вікторівна Скришевський Валерій Антонович Федорченко Микола Іванович Циганова Ганна Іскаківна Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Фізичні засади функціонування нового покоління високоефективних детекторів на основі твердотільних наноструктур
Керівник: Скришевський Валерій Антонович. Фізичні засади функціонування нового покоління високоефективних детекторів на основі твердотільних наноструктур. (Етап: ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0217U000372
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку