Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U001019, 0114U002586 , Науково-дослідна робота Назва роботи П'єзокварцовий резонатор як in situ метод дослідження фазових перетворень в нанорозмірних плівках металів та сплавів Назва етапу роботи Керівник роботи Сухов Володимир Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-01-2017 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження: однокомпонентні плівки легкоплавких компонентів Bi, In, Pb, Sn на аморфній вуглецевій підкладці. Двокомпонентні шаруваті плівкові системи Bi-Sn, Bi-Ge, Au-Ge на аморфній вуглецевій підкладці та на підкладці із власного компонента. Багатошарові плівкові системи Вi-Ge з товщинами шарів від 5 до 50 нм. Мета роботи: вирішення наукової задачі, яка полягає у встановленні фізичних закономірностей утворення, розмірної та температурної стійкості рідкої фази в системах частинка - матриця з урахуванням характеру взаємодії компонентів. 'Методи досліджень: послідовна конденсація компонентів у високому вакуумі. In situ метод дослідження фазових перетворень в нанорозмірних плівках металів та сплавів на основі п'єзокварцового резонатора, просвічуюча та растрова електронна мікроскопія, енергодисперсійна рентгенівська спектроскопія. За допомогою розробленого in situ методу на основі кварцового резонатору проведено дослідження розмірної залежності фазових переходів плавлення-кристалізація в багатошарових нанодисперсних бінарних плівкових системах Bi-Ge. З'ясовано, що межі чутливості розробленого методу дозволяють досліджувати температури плавлення та кристалізації для одношарових плівок на різних підкладках в межах від 10 до 100 нм, що збігаються з теоретичними розрахунками. Запропоновано методику, яка істотно поліпшує чутливість методу та дозволяє дослідити плівки товщиною менше 10 нм. В результаті систематичного дослідження вперше побудовано розмірні залежності температур плавлення і кристалізації в шаруватих плівках системи Bi-Ge в широкому діапазоні характерних товщини, а саме 5 - 50 нм. Виявлено, що величина переохолодження рідкої фази в системі Ge/Bi/Ge, з масовою товщиною шарів по 50 нм, перевищує майже на 30°С значення, що характерне для зразків Bi/Ge. Цей результат пояснюється наявністю додаткової границі розділу метал-напівпровідник. Основні результати роботи отримано вперше, їхня актуальність зумовлюється як необхідністю розуміння фізики процесів у низькорозмірних системах, так і широким використанням таких об'єктів у сучасних технологіях. Результати НДР можуть бути використані науковими установами, що займаються подібними дослідженнями. Опис продукції Новий радіофізичний метод дозволяє досліджувати фазові перетворення плавлення-кристалізація в системах з будь-яким типом провідності і характером взаємодії компонентів. Головною перевагою запропонованого методу є те, що шаруваті плівкові системи отримуються і досліджуються в єдиному експериментальному циклі, тобто in-situ. Автори роботи В. М. Сухов О.Л. Самсонік О.О. Мінєнков С. В. Дукаров С.І. Богатиренко Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити