Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U001178, 0112U002349 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв О.Є., Дата реєстрації 26-01-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Метою роботи було комплексне дослідження як нових фізичних ефектів, що спостерігались в новітніх напівпровідникових наноструктурах, так і можливості їх використання в приладах сучасної електроніки. Для досягнення поставленої мети було розроблено ряд технологічних рішень, досліджено широкий спектр напівпровідникових матеріалів, гетероструктур і нанооб'єктів на їх основі. Серед найбільш важливих результатів слід відзначити такі: - розроблено технологію покращення оптичного пропускання в ІЧ області спектру кристалів напівізолюючого арсеніду галію та HgCdTe, яка включає попередню плазмову обробку і наступне осадження просвітлюючої та захисної алмазоподібної вуглецевої плівки; - розроблено технологію інтерференційної нанолітографії для формування періодичних наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів на основі шарів халькогенідів германію, які більш прийнятні з екологічної точки зору в порівнянні з традиційними халькогенідними фоторезистами на основі сполук миш'яку; - відпрацьовані режими фотоелектрохімічного методу формування двовимірних структур макропористого кремнію; - розроблено технологію формування гібридних напівпровідникових гетероструктур для приладів молекулярної електроніки; - створено та апробовано технології виготовлення омічних контактів до AlN, InN, GaN, AlхGa1-хN та синтетичного алмазу з дифузійними бар'єрами на основі тугоплавких металів та нанокристалічно-аморфних композитів боридів тугоплавких металів; - розроблено технологію вирощування великих (вагою до 20 кГ) кристалічних пластин оптичного германію нового типу для сучасних тепловізійних систем; - розвинуті новітні експериментальні дифрактометричні та нанозондові методики дослідження фізичних властивостей напівпровідникових і гібридних гетеросистем пониженої розмірності; - розроблені методи електричного діагностування нанорозмірних діелектричних (в тому числі з високою діелектричною проникливістю) та напівпровідникових шарів матеріалів IV групи (С, Si, SiC) і приладів на їх основі; - продемонстрована можливість створення неохолоджуваних і охолоджуваних до температури Т = 78 К приймачів суб-терагерцевого та терагерцового діапазонів на основі напівпровідникових твердих розчинів CdxHg1-xTe. Розроблено технологічний маршрут і виготовлені дослідні зразки приймачів ТГц/суб-ТГц діапазону - напівпровідникових болометрів на гарячих електронах та детекторів з вбудованим p-n- переходом на основі тонких шарів напівпровідника CdxHg1-xTe (0,22<х<0,3). Отримані результати є суттєвим внеском у розвиток фундаментальних досліджень в галузі фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів і будуть сприяти розвитку високих технологій в Україні. Опис продукції Розроблено технологію покращення оптичного пропускання в ІЧ області спектру кристалів напівізолюючого арсеніду галію та HgCdTe, яка включає попередню плазмову обробку і наступне осадження просвітлюючої та захисної алмазоподібної вуглецевої плівки; - розроблено технологію інтерференційної нанолітографії для формування періодичних наноструктур з використанням вакуумних фоторезистів на основі шарів халькогенідів германію, які більш прийнятні з екологічної точки зору в порівнянні з традиційними халькогенідними фоторезистами на основі сполук миш'яку; - відпрацьовані режими фотоелектрохімічного методу формування двовимірних структур макропористого кремнію; - розроблено технологію формування гібридних напівпровідникових гетероструктур для приладів молекулярної електроніки; - створено та апробовано технології виготовлення омічних контактів до AlN, InN, GaN, AlхGa1-хN та синтетичного алмазу з дифузійними бар'єрами на основі тугоплавких металів та нанокристалічно-аморфних композитів боридів тугоплавких металів; - Автори роботи Євтух А.А. Індутний І.З. Власенко О.І. Карачевцева Л.А. Клюй М.І. Конакова Р.В. Литовченко В.Г. Лозовський В.З. Павелець С.Ю. Томашик В.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити