Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U001359, 0115U000515 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив поверхневих металічних шарів на термоелектричні властивості кристалів, тонких плівок і нанокомпозитних структур 3D-топологічних ізоляторів Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 07-02-2017 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкт дослідження - особливості явищ переносу і термоелектричних властивостей у кристалах та наноструктурах 3D-топологічних ізоляторів, обумовлені наявністю в останніх поверхневого металічного шару. Мета роботи - виявити особливості термоелектричного транспорту в об'ємних кристалах і тонких плівках на основі напівпровідникових сполук IV-VI (PbTe, PbSe, SnTe), V2VI3 (Bi2Te3, Bi2Se3) та твердих розчинів Bi1-xSbx, які пов'язані із наявністю в останніх металевого топологічного поверхневого шару. Методи дослідження - рентгенівська дифрактометрія; оптична та електронна мікроскопія; вимірювання мікротвердості, кінетичних та теплових властивостей. Виготовлено полікристали напівпровідникових сполук IV-VI та V2VI3, твердих розчинів Bi1-xSbx. Досліджено їх фазовий склад, структуру, залежності механічних, гальваномагнітних, термоелектричних і теплових властивостей в залежності від стехіометрії, концентрації домішки, складу, термічної обробки, температури. Обрано оптимальні склади кристалів для вирощування тонких плівок. Встановлено вплив різних домішок на концентрації носіїв заряду та властивості кристалів Bi2Te3, Bi2Se3 та твердих розчинів Bi1-xSbx. Виявлено екстремуми на ізотермах термоелектричних та інших властивостей у твердих розчинах Pb1-xSnxTe та Bi1-xSbx поблизу складів, що відповідають переходу у безщілинний стан. Розроблено методику та вирощено тонкі плівки сполук IV-VI, V2VI3 і твердих розчинів Bi1-xSbx з якісною структурою, різними товщинами шарів, типом та концентрацією носіїв заряду. Опис продукції Автори роботи Будник Олександр Валентинович Водоріз Ольга Станіславівна Дорошенко Ганна миколаївна Дроздова Ганна Анатоліївна Мартинова Катерина Вікторівна Меньшикова Світлана Іванівна Ніколаєнко Ганна Олександрівна Орлова Дар'я Сергіївна Рогачова Олена Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Рогачова Олена Іванівна. Вплив поверхневих металічних шарів на термоелектричні властивості кристалів, тонких плівок і нанокомпозитних структур 3D-топологічних ізоляторів. (Етап: ). Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут". № 0217U001359
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18