Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U001364, 0115U000519 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-хімічних основ технологій функціональних плівкових наноструктурованих шарів для геліоенергетики Назва етапу роботи Керівник роботи Зубарєв Євгеній Миколайович, Дата реєстрації 07-02-2017 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкт дослідження: функціональні плівкові та наноструктуровані шари для приладових структур геліоенергетики. Мета проекту - створення фізико-хімічних основ технології одержання наноструктур оксиду цинку, плівок кестеритів та сульфіду олова з оптимізованою морфологією і керованими структурними характеристиками, поліпшеними оптичними і електричними властивостями та розробка на їх основі конструктивно-технологічних рішень сенсибілізованих квантовими точками гібридних ФЕП, антивідбивних покриттів для плівкових ФЕП і селективних покриттів для теплових колекторів. Методи досліджень - комплексний аналіз технологічних режимів отримання та структурних, оптичних і електричних властивостей наноструктурованих шарів оксиду цинку, плівок кестеритів та сульфіду олова. Основні науково-технічні результати. Визначені механізми впливу режимів імпульсного електрохімічного осадження на змочуваність поверхонь ZnO, що дозволило оптимізувати умови електроосадження шарів оксиду цинку, забезпечуватимуть ефект самоочищення поверхонь. Вперше запропонована обробка наноструктури ZnO в ультрафіолетовому випромінюванні для оборотного переходу з режиму високої гідрофобності до гідрофільності. Отримані надтонкі шари SnS для створення нової конструкції гібридного сонячного елемента з надтонким абсорбером SnS (ЕТА СЕ). Створено базову гетеросистему для ЕТА СЕ з використанням електроосаджених в імпульсному режимі наноструктурованих масивів ZnO, на які наносили надтонкі шари SnS і методом рідиннофазного молекулярного нашарування (SILAR) осаджували тонкі плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN. Розроблено нову тонкоплівкову композицію для кестеритного сонячного елемента на основі шару Cu2ZnSnS4, який отримано за допомогою двох економічних рідиннофазних методів, а саме електроосадження SILAR. Опис продукції Автори роботи Зайцев Роман Валентинович Кіріченко Михайло Валерійович Клєпікова Катерина Сергійовна Клочко Наталя Петрівна Ковтун Назар Анатолійович Копач Володимир Романович Лук'янова Олександра Віталієвна Любов Віктор Миколойович Меріуц Андрій Волдимирович Нікітін Віктор Олексійович Харченко Микола Михайлович Хрипунов Геннадій Семенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити