Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U001586, 0115U001419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-03-2017 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Досліджено механізми d.c. та a.c провідності та низькочастотний шум в гетероструктурах з нанооб'єктами Ge на поверхні SiO2/Si(100). Показано, що транспорт в таких системах обумовлений поверхневим каналом провідності за участю зони локалізованих станів, зумовлених як нанокластерами Ge, так і з пастками інтерфейсів Si/SiOx та Ge/SiOx. Вивчено фізичні механізми впливу заряду, захопленого інтерфейсними пастками та квантово-розмірними станами на поверхневу провідність і низькочастоний шум. Опис продукції Автори роботи Варавка О.В. Козирев Юрій Миколайович Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити