Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U002412, 0114U005171 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія вирощування, одержання та властивості монокристалів тетрарних галієвих сполук Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, Дата реєстрації 13-02-2017 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Розроблено та опробовано методику вирощування кристалів AgGaGe3Se8 та його твердих розчинів вертикальним методом Бріжмена-Стокбаргера довжиною 40 мм та діаметром 18 мм. Вперше вивчено фазові рівноваги в системах AgGaGe3Se8-'AgGaSi3Se8', AgGaGe3Se8-'AgGaSn3Se8', AgGaGe3Se8-'AgInGe3Se8', AgGaGe3Se8-AgInGeSe4, побудовані їх діаграми стану та встановлено протяжність твердих розчинів на основі AgGaGe3Se8. Сполуки AgGaGe3Se8, AgGaGeS4 і AgCd2GaS4 є новими матеріалами, які можуть застосовуватися як активні та пасивні елементи нелінійно-оптичних та акустооптичних пристроїв. Розроблена технологія одержання ацентричних кристалів тетрарних сполук може бути підґрунтям для створення промислових технологій одержання цих кристалів. Одержані експериментальні результати про фазові рівноваги по перерізах AgGaS2-SiS2, AgGaSe2-SiSe2 та за участю AgGaGe3Se8, а також у квазіпотрійній системі Ga2S3-GeS2-Ag2S розширюють уявлення про взаємодію елементів у багатокомпонентних системах, створюють необхідну основу для пошуку нових перспективних неорганічних матеріалів і є вагомим внеском до розширення теоретичних основ матеріалознавства. Вперше знайдені в них сполуки та тверді розчини є новими матеріалами із нецентросиметричною структурою і, відповідно, мають потенціал для дослідження і можливого використання у вищезазначених галузях. Опис продукції Кристали AgCd2GaS4 були отримані як вертикальним так і горизонтальним методом Бріджмена-Стокбаргера. При використанні вертикального варіанту, у найбільш вдалих експериментах розміри отриманої булі становив до 40 мм (діаметр до 9 мм). Горизонтальним варіантом росту кристалів AgCd2GaS4 отримували блоки із розмірами 15 8 8 мм. Для росту кристалу AgGaGeS4 існує проблема синтезу якісної вихідної шихти. Вона викликана тим, що система Ga2S3-GeS2-Ag2S є склоутворюючою, відповідно, розплави володіють високою в'язкістю і, як наслідок, погано гомогенізуються, що в подальшому впливає на якість отриманого кристалу. Розроблена методика полягає у порційному приготуванні наважок масою, що не перевищує 2 г шляхом ротаційного обертання розплавів тривалістю не менше 24 год. Ріст кристалів проводився вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера. Автори роботи Горгут Г.П. Кітик І.В. Калуш О.З. Когут Ю.М. Козер В.Р. Піскач Л.В. Панкевич В.З. Парасюк О.В. Федорчук А.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити