Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U002425, 0112U002330 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика фазових і структурних перетворень у нанодисперсних, спін-кросовер та метало-полімерних системах і гетероструктурах Назва етапу роботи Керівник роботи Крамар Валерій Максимович, Дата реєстрації 13-02-2017 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу У результаті виконаних досліджень встановлені закономірності формування наночастинок нової фази на стадії оствальдівського дозрівання. Розраховані функції розподілу за розмірами, часові залежності для критичних і максимальних розмірів та інші характеристики наночастинок зміцнюючої фази в металевих сплавах. Поширено модифіковану для 3D- систем теорію Ліфшица-Сльозова-Вагнера, початково розроблену для твердотільних систем, на рідкі середовища. Оцінені константи швидкостей росту квантових точок, синтезованих хімічними методами. Розраховано швидкість росту та функцію розподілу квантових точок, отриманих методом молекулярно-променевої епітаксії на поверхні штучно вирощених квантово-точкових кристалів за умови, що квантові точки моделювалися конусоподібними кластерами, масоперенос між якими здійснювався шляхом поверхневої дифузії, а також вуглецевих нанотрубок. У наближенні ефективних мас для електронів та моделі діелектричного континууму - для фононів, методами теорії функцій Ґріна досліджено взаємодію електронів, дірок та екситонів з оптичними фононами у плоских напівпровідникових наногетероструктурах - наноплівках з різною силою електрон-фононного зв'язку. На прикладі наноплівок шаруватого напівпровідника 2H-PbI2, вміщеного в діелектричне середовище (скло або полімер E-MAA), GaAs у матриці змінного складу AlxGa1-xAs та ?-HgS у матриці ?-CdS з урахуванням ефектів просторового обмеження, самополяризації та взаємодії з фононами розраховано енергії основного стану електрона, дірки та екситону, а також спектральні залежності функцій форми смуг екситонного поглинання у вказаних середовищах; проаналізовано їх температурні, а у випадку AlxGa1-xAs/GaAs/ AlxGa1-xAs - і концентраційні зміни. Досліджено можливість структурних змін у спектрах оптичного поглинання указаних наносистем під впливом зовнішніх чинників (поляризації та кута падіння збуджуючої хвилі, температури) та геометричних розмірів (товщини наноплівки). Обґрунтовано можливість використання досліджуваних структур для створення функціональних елементів пристроїв оптоелектроніки і фотоніки. Методами порівняльного аналізу та числових розрахунків проведено оцінку міцності накісткових фіксуючих конструкцій при переломах довгих трубчастих кісток. Проведено теоретичну оцінку параметрів міцності накісткових пластин при різних міжцентрових відстанях між отворами на корпусі пластин та встановлено мінімально допустимі значення цих відстаней. Показано як впливають на міцність накісткової конструкції розміри поперечного перерізу накісткових фіксаторів та відстані між отворами. Запропонована проектна методика визначення оптимального розташування фіксуючих та блокуючи гвинтів на корпусі пластини при всіх простих та складних видах навантажень на біомеханічну систему "кістка-фіксатор". Отримані результати дають змогу визначити найефективніші варіанти фіксації конструкції при накістковому остеосинтезі переломів трубчастих кісток опорно-рухового апарату. Запропонована математична модель зйомного протезу верхньої щелепи та здійснена її біомеханічна оцінка для різних типорозмірів і матеріалів, з яких її виготовлено. Опис продукції Запропонований метод визначення механізмів росту наночастинок (кластерів) у металевих сплавах, квантових кристалів (квантових точок і нанокристалів), отриманих методами молекулярно-променевої епітаксії або колоїдної хімії, а також одношарових вуглецевих нанотрубок. Метод дозволяє будувати функції розподілу наноструктур за розмірами та обчислювати швидкості росту наночастинок у процесі їх оствальдівського дозрівання.Теорію взаємодії електронів, дірок та екситонів з оптичними фононами адаптовано на випадок квазідвовимірних наногетероструктур - напівпровідникових наноплівок. На її основі створено методику дослідження закономірностей впливу просторових обмежень, складу бар'єрного матеріалу та температури на енергетичний та оптичний спектри наноплівок типу 2H-PbI2, вміщеної у діелектричне середовище - скло або полімер E-MAA, GaAs у матриці змінного складу AlxGa1-xAs, а також ?-HgS у матриці ?-CdS.Розроблена проста ізінгоподібна модель з двома параметрами порядку для спін-кросовер кристалів з прикладеним зовні Автори роботи Іванський Богдан Васильович Івашко Віктор Васильович Венргенович Роман Дмитрович Гудима Юрій Васильович Деревянчук Олександр Володимирович Кондрюк Денис Васильович Крамар Валерій Максимович Кривецький Василь Васильович Кройтор Ольга Петрівна Максимов Артур Юрійович Москалюк Анатолій Валерійович Панько Ігор Ігорович Пуганцева Олена Валеріївна Стасик Мирослав Остапович Фесів Ігор Васильович Шайко-Шайковський Олександр Геннадійович Ярема Сергій Володимирович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити