Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U003085, 0112U005082 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефектоутворення та кінетичні ефекти в опромінених і термічно оброблених напівпровідниках та наноструктурах на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 17-01-2017 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Досліджено термічну стабільність радіаційних дефектів у кремнії. Отримано, що радіуси захоплення міжвузловим киснем, вузловим вуглецем радіаційних дефектів (вакансій, дивакансій, А-центрів та ін.) лежать у межах (3 - 4) х постійних ґратки кремнію. Розраховані значення енергії активації відпалу дивакансії, А-центра, міжвузлового вуглецю, Е-центра, міжвузлового атома кремнію, диміжвузля кремнію, які добре узгоджуються з аналогічними даними інших авторів. Теоретично описано відпал основних радіаційних дефектів у кремнії (А-центрів, Е-центрів, дивакансій та ін.) на основі експериментальних даних, одержаних багатьма авторами, визначено параметри, які характеризують цей процес (енергії активації і частотні фактори), а також запропоновано різні механізми і реакції, згідно з якими відбуваються процеси відпалу дефектів. Для потреб газової сенсорики модифіковано поверхню кремнію прискореними зарядженими частинками, які утворюють треки. Досліджено вплив опромінення 6,8 МеВ протонами, 27,2 МеВ альфа-частинками і важкими iонами (^40Ar, ^131Xe, ^209Вi) на оптичні та адсорбцiйнi властивості n-Si та SiO(sub 2)/Si структур з нанопорами. Встановлено, що зміна оптичних констант зразків n-Si при опроміненнi протонами та альфа-частинками супроводжується збільшенням шорсткості поверхні і зумовлена деструкцією приповерхневого шару матеріалу. Виявлено, що опроміненi структури більш чутливі щодо адсорбції молекул аміаку та ацетону. З'ясовано, що найбільш розвинена поверхня пор і найбiльшi зміни оптичних констант спостерігалися у зразках, опромінених іонами вісмуту ^209Вi. Проведено ряд технологічних експериментів по вирощуванню ниткоподібних кристалів SiGe у закритій галоїдній системі Si-Au-Pt-B-Br методом хімічних транспортних реакцій. Визначено оптимальні технологічні умови одержання з газової фази ниткоподібних кристалів Si(sub 1-x)Ge(sub x) складу х = 0,01 - 0,08 з поперечними розмірами 0,1 - 80 мкм. Встановлено, що найбільш однорідними за розподілом германію є зразки твердого розчину Si(sub 1-x)Ge(sub x), які відповідають складу х = 0,03. Показано, що зразки саме такого складу характеризуються максимальною величиною мікротвердості. Опис продукції Теоретично описано відпал основних радіаційних дефектів у кремнії (А-центрів, Е-центрів, дивакансій та ін.) на основі експериментальних даних, одержаних багатьма авторами, визначено параметри, які характеризують цей процес (енергії активації і частотні фактори), а також запропоновано різні механізми і реакції, згідно з якими відбуваються процеси відпалу дефектів. Отримано радіуси захоплення міжвузловим киснем, вузловим вуглецем радіаційних дефектів (вакансій, дивакансій, А-центрів та ін.), які знаходяться у межах від 3 до 4 сталих ґратки кремнію. Проведено експериментальні дослідження впливу опромінення 6,8 МеВ протонами, 27,2 МеВ альфа частинками і важкими iонами (^40Ar, ^131Xe, ^209Вi) на оптичні та адсорбцiйнi властивості n-Si та SiO(sub 2)/Si структур з нанопорами. Виявлено зміну оптичних констант зразків n-Si при опроміненнi протонами та альфа-частинками, яка супроводжується збільшенням шорсткості поверхні і зумовлена деструкцією приповерхневого шару матерiалу. Встановлено більшу чутливість опроміне Автори роботи Анохін Ігор Євгенович Барабаш Людмила Іванівна Верцімаха Ганна Віталіївна Гайдар Галина Петрівна Зінець Олег Сергійович Кібкало Тетяна Іванівна Ластовецький Володимир Францевич Литовченко Михайло Вадимович Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Полівцев Леонід Андрійович Сугаков Володимир Йосипович Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити