Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U003518, 0112U002479 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження нерівноважних процесів у напівпровідникових структурах з модифікованим поверхневим шаром. Назва етапу роботи Керівник роботи Птащенко Олександр Олександрович, Дата реєстрації 05-05-2017 Організація виконавець Одеський національний університет імені І. І. Мечникова Опис етапу Об'єкт дослідження - напівпровідникові структури з модифікованим поверхневим шаром. Мета роботи - створення бази експериментальних даних з нерівноважних процесів у напівпровідникових структурах з модифікованим поверхневим шаром та з'ясування механізмів вказаних процесів. Методи дослідження - аналіз електричних, фотоелектричних і фотолюмінесцентних характеристик напівпровідникових структур, рентгенографічні методи, оптична та атомна силова мікроскопія, лазерна еліпсометрія, фізико-математичне моделювання та квантово-хімічні чисельні розрахунки. Встановлено механізм впливу вологих парів аміаку на процес дефектоутворення на реальній поверхні кристалів кремнію та квантово-хімічними розрахунками визначено параметри даного процесу. Поверхневим легуванням досягнуто суттєвого підвищення параметрів p n переходів як газових сенсорів.. Розроблено і апробовано експериментальні методики визначення параметрів глибоких поверхневих центрів у Si та GaAs. Встановлено можливість формування від'ємного опору p-n переходів за рахунок адсорбційних процесів. Розроблено і запатентовано метод виявлення поверхневого пробою в p n переходах. Виявлено закономірності впливу режимів лазерного опромінення на характеристики фотолюмінесценції кристалів GaP і гетеропереходів GaP-InGaP, отриманих за допомогою лазерного легування. Встановлено вплив орієнтації кремнієвих підкладок і режимів електрохі-мічного травлення на структуру та характеристики поруватого кремнію. Результати роботи впроваджено у навчальний процес на фізичному факультеті шляхом розробки нових лекційних курсів та спеціальних практикумів. Прогнозові припущення щодо розвитку об'єкту дослідження полягають у можливості використання напівпровідникових структур з модифікованим поверхневим шаром для створення високочутливих газових сенсорів малих розмірів та фотоперетворювачів енергії з високими робочими параметрами. Опис продукції Виявлено механізми протонування адсорбованих молекул аміаку на окисленій поверхні кремнію та впливу даних молекул на поверхневий струм в p-n переходах, механізми проходження струму та люмінесценції у напівпровідникових структурах з модифікованим поверхневим шаром; знайдено оптимальні технологічні умови для отримання високих робочих параметрів сенсорів та фотоперетворювачів енергії шляхом модифікації їхньої поверхні. Автори роботи Євтушенко Ніна Германівна Богдан Ольга Василівна Гільмутдінова Валерія Рафаелівна Довганюк Генадій Віталійович Мірошниченко Олексій Іванович Маслєєва Наталя Миколаївна Пастернак Наталя Миколаївна Печеряенський Олександр Вікторович Птащенко Федір Олександрович Севастян Альона Прокопівна Солошенко Віктор Іванович Стукалов Сергій Анатолійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити