Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U004103, 0116U006081 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки. Назва етапу роботи Керівник роботи Таранюк Володимир Іванович, Дата реєстрації 13-01-2017 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис етапу У ході виконання роботи створенно конструкцію, ростовий вузол і автоматизовану систему управління, які дозволяють здійснювати контрольоване локальне відведення тепла від дна ростового тигля в процесі вирощювання кристала гарнісажним методом. Для створення умов вирощування монокристалу гарнісажним методом необхідно використовувати підкладку у вигляді одного, чи декількох затравочних монокристалів, що встановлюються безпосередньо на дно контейнеру та контрольовано охолоджуються. Встановлено параметри монокристалічної підкладки, що забезпечують вирощування монокристалу гарнісажним методом. Опис продукції В рамках виконання проекту було розроблено спосіб вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки. Було розроблено обладнання та створено технологічні основи вирощування гарнісажним методом монокристалів. Встановлено закономірності вирощування монокристалу при використанні підкладки у вигляді одного та декількох монокристалічних елементів. Встановлено параметри монокристалічної підкладки, що забезпечують вирощування гарнісажним методом монокристалу. Отримано великогабаритні (450х450х100 мм) монокристали NaI(Tl) з функціональними характеристиками на одному рівні зі стандартними зразками для цього типу кристалів. Автори роботи Колесніков О.В. Шляхтуров В.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити