Реєстраційний номер
0217U004103,
0116U006081
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Таранюк Володимир Іванович,
Дата реєстрації
13-01-2017
Організація виконавець
Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України
Опис етапу
У ході виконання роботи створенно конструкцію, ростовий вузол і автоматизовану систему управління, які дозволяють здійснювати контрольоване локальне відведення тепла від дна ростового тигля в процесі вирощювання кристала гарнісажним методом. Для створення умов вирощування монокристалу гарнісажним методом необхідно використовувати підкладку у вигляді одного, чи декількох затравочних монокристалів, що встановлюються безпосередньо на дно контейнеру та контрольовано охолоджуються. Встановлено параметри монокристалічної підкладки, що забезпечують вирощування монокристалу гарнісажним методом.
Опис продукції
В рамках виконання проекту було розроблено спосіб вирощування сцинтиляційних лужногалоїдних монокристалів гарнісажним методом з застосуванням монокристалічної підкладки. Було розроблено обладнання та створено технологічні основи вирощування гарнісажним методом монокристалів. Встановлено закономірності вирощування монокристалу при використанні підкладки у вигляді одного та декількох монокристалічних елементів. Встановлено параметри монокристалічної підкладки, що забезпечують вирощування гарнісажним методом монокристалу. Отримано великогабаритні (450х450х100 мм) монокристали NaI(Tl) з функціональними характеристиками на одному рівні зі стандартними зразками для цього типу кристалів.
Автори роботи
Колесніков О.В.
Шляхтуров В.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
