Реєстраційний номер
0217U004304,
0115U000855
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Радіаційні ефекти в напівпровідникових датчиках
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Вікулін Іван Михайлович,
Дата реєстрації
30-01-2017
Організація виконавець
Одеська національна академія зв'язку ім. О.С. Попова
Опис етапу
Об'єктом дослідження: по розділу 1 є матеріали для сенсорів, чутливі p-n-структури, напівпровідникові резисторні елементи, транзисторні структури та сенсорні елементи інтегральних схем датчиків; по розділу 2 є одноперехідні магнітотранзистори, біполярні одноколекторні, біполярні двоколекторні магнітотранзистори, магнітотиристори, польові магнітотранзистори і магнітокеровані мікросхеми; по розділу 3 є транзисторні структури для сенсорів, чутливі до тиску напівпровідникові резисторні елементи та p-n-структури, чутливі до газів напівпровідникові резисторні елементи та МОН структури; по розділу 4 є електролюмінесцентні інжекційні системи для сенсорів, напівпровідникові компоненти сенсорних систем та сенсорні елементи інтегральних схем датчиків, структури, чутливі до дії радіації. Метою роботи: по розділу 1 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів напівпровідникових елементів датчиків: p-n-структур, напівпровідникових резисторних елементів, транзисторних структур та сенсорних елементів в результаті дії радіації, розробка теоретичних моделей інтерпретації впливу радіації на таки параметри; по розділу 2 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів напівпровідникових елементів датчиків: однеперехідних магнітотранзисторів, біполярних одноколекторних, біполярних двоколекторних магнітотранзисторів, магнітотиристорів, польових магнітотранзисторів і магнітокерованих мікросхем в результаті дії радіації, розробка теоретичних моделей інтерпретації впливу радіації на таки параметри; по розділу 3 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів термочутливих напівпровідникових транзисторних елементів, структур, чутливих до дії тиску та газових сенсорів в результаті дії радіації; по розділу 4 є вивчення впливу радіації на різні ділянки спектрів випромінювальної рекомбінації у широкозонних напівпровідникових потрійних сполуках, яки застосуються в складі сенсорних систем, методів підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових компонентів сенсорних систем, розробка конструкцій датчиків радіації.
Опис продукції
Розроблення концепції фізичних механізмів впливу радіаційного опромінення на електрофізичні процеси в напівпровідникових бар'єрних інжекційних та МДН-структурах, в структурах з квантовими ямами. Механізми формування радіаційних дефектів в напівпровідникових структурах. Фізичні механізми впливу радіації на характеристики датчиків світла (бар'єрні структури, наноструктури з квантовими ямами). Засоби підвищення фото чутливості частотних мікроелектронних сенсорів-перетворювачив на базі одно перехідних транзисторів. Метод підвищення радіаційної стійкости монокристалічних епітаксій них плівок кремнию шляхом створення дислокаційних граток. Спосіб визначення впливу полікристалічної фазі на струми в каналах польових МДН-транзисторів.
Автори роботи
Веремьєва Г.В.
Воронов Д.О.
Горбачов А.Е.
Красова В.А.
Криськів С.к.
Курмашев Ш.Д.
Марколенко П.Ю.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
