Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U004304, 0115U000855 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радіаційні ефекти в напівпровідникових датчиках Назва етапу роботи Керівник роботи Вікулін Іван Михайлович, Дата реєстрації 30-01-2017 Організація виконавець Одеська національна академія зв'язку ім. О.С. Попова Опис етапу Об'єктом дослідження: по розділу 1 є матеріали для сенсорів, чутливі p-n-структури, напівпровідникові резисторні елементи, транзисторні структури та сенсорні елементи інтегральних схем датчиків; по розділу 2 є одноперехідні магнітотранзистори, біполярні одноколекторні, біполярні двоколекторні магнітотранзистори, магнітотиристори, польові магнітотранзистори і магнітокеровані мікросхеми; по розділу 3 є транзисторні структури для сенсорів, чутливі до тиску напівпровідникові резисторні елементи та p-n-структури, чутливі до газів напівпровідникові резисторні елементи та МОН структури; по розділу 4 є електролюмінесцентні інжекційні системи для сенсорів, напівпровідникові компоненти сенсорних систем та сенсорні елементи інтегральних схем датчиків, структури, чутливі до дії радіації. Метою роботи: по розділу 1 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів напівпровідникових елементів датчиків: p-n-структур, напівпровідникових резисторних елементів, транзисторних структур та сенсорних елементів в результаті дії радіації, розробка теоретичних моделей інтерпретації впливу радіації на таки параметри; по розділу 2 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів напівпровідникових елементів датчиків: однеперехідних магнітотранзисторів, біполярних одноколекторних, біполярних двоколекторних магнітотранзисторів, магнітотиристорів, польових магнітотранзисторів і магнітокерованих мікросхем в результаті дії радіації, розробка теоретичних моделей інтерпретації впливу радіації на таки параметри; по розділу 3 є отримання конкретних змін електрофізичних, функціональних та динамічних параметрів термочутливих напівпровідникових транзисторних елементів, структур, чутливих до дії тиску та газових сенсорів в результаті дії радіації; по розділу 4 є вивчення впливу радіації на різні ділянки спектрів випромінювальної рекомбінації у широкозонних напівпровідникових потрійних сполуках, яки застосуються в складі сенсорних систем, методів підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових компонентів сенсорних систем, розробка конструкцій датчиків радіації. Опис продукції Розроблення концепції фізичних механізмів впливу радіаційного опромінення на електрофізичні процеси в напівпровідникових бар'єрних інжекційних та МДН-структурах, в структурах з квантовими ямами. Механізми формування радіаційних дефектів в напівпровідникових структурах. Фізичні механізми впливу радіації на характеристики датчиків світла (бар'єрні структури, наноструктури з квантовими ямами). Засоби підвищення фото чутливості частотних мікроелектронних сенсорів-перетворювачив на базі одно перехідних транзисторів. Метод підвищення радіаційної стійкости монокристалічних епітаксій них плівок кремнию шляхом створення дислокаційних граток. Спосіб визначення впливу полікристалічної фазі на струми в каналах польових МДН-транзисторів. Автори роботи Веремьєва Г.В. Воронов Д.О. Горбачов А.Е. Красова В.А. Криськів С.к. Курмашев Ш.Д. Марколенко П.Ю. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити