Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U004593, 0112U001192 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні основи дизайну чутливих до видимого світла фотовольтаїчних та фотоелектрохімічних систем на основі композитів широкозонних напівпровідників з метал-халькогенідними квантовими точками, нанокристалами металів та похідними графену Назва етапу роботи Керівник роботи Кучмій Степан Ярославович, Дата реєстрації 20-02-2017 Організація виконавець Інститут фізичної хімії ім. Л. В. Писаржевського НАН України Опис етапу Методами золь-гель та скрин-принтінгу отримано плівки діоксиду титану на поверхні провідного скла FTO, а модифікованим методом електрохімічного осадження на поверхні провідного скла ITO та FTO сформовано мезопористі плівки оксиду цинку. Встановлено морфологію, адсорбційні та фотохімічні характеристики одержаних плівкових структур. З використанням фотокаталітичного методу отримані плівкові фотоаноди ITO/ZnO/CdS, а двостадійним йонним обміном структуриFTO/CuxS як протиелектроди сонячних комірок. В результаті комбінування фотокаталітично сформованого фотоанода FTO/ZnO/CdS та протиелектрода FTO/ZnO/CuxS у фотовольтаїчну систему з рідким S2-/Sx2--вмісним електролітом досягнута ефективність перетворення енергії видимого світла 3,5%. З використанням методу послідовної адсорбції та взаємодії йонів (SILAR) отримано фотоаноди ITO/ZnO/CdxZn1-xS та показано, що зменшення "х" у їх складі від 1,00 до 0,62 призводить до значного зростання максимальної потужності, генерованої такими електродами, та зсуву фотопотенціалу розімкненого кола від -1,18 до -1,46 В відн. Ag/AgCl, що є наслідком зростання потенціалу зони провідності сенсибілізатора. Встановлено основні причини генерації фотоструму електродами ITO/ZnO/CdS одержаними методом послідовної адсорбції та взаємодії йонів (SILAR) при їх опроміненні світлом з енергією, меншою за ширину забороненої зони масивного CdS, обумовлені участю енергетичних станів, що знаходяться у забороненій зоні сенсибілізатора. Опис продукції Наноструктуровані плівки оксидів цинку та титану на електропровідних підкладках з нанесеними на поверхню плівок халькогенідними напівпровідниками (CdS, CdxZn1-xS, PbS, ZnSe, CuxS, CuSe),оксидом графену та фотовідновленим оксидом графену, а також фотоелектрохімічні сонячні комірки на їх основі Автори роботи Андрюшина Наталія Сергіївна Козицький Андрій Володимирович Кучмій Степан Ярославович Строюк Олександр Леонідович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити