Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U004894, 0117U007006 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Насєка Юрій Миколайович, Дата реєстрації 22-11-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Проведено оптичну неруйнівну діагностику вихідних детекторних кристалів Cd(Zn)Te, легованих різними концентраціями домішок (In, Al, Mn). Опромінено діагностовані кристали швидкими електронами (доза опромінення 10^7 Rad). Методами фотолюмінесцентної та Раманівської спектроскопії встановлено вплив радіації на дефектно-домішковий стан вказаних кристалів та його залежність від виду легуючої домішки та її концентрації. Встановлено вид і концентраційні межі легуючих домішок, які сприяють підвищенню радіаційної стійкості детекторних структур і при цьому не приводить до суттєвого зменшення питомого опору. Опис продукції Розробка спрямована на створення та вдосконалення вітчизняної технології продовження часу експлуатації (радіаційного ресурсу) детекторів іонізуючого (рентгенівського та гамма-) випромінювання. Роботи у були направлені на пошук ефективних технологічних процесів, які запобігатимуть радіаційному старінню матеріалів чутливих елементів детекторів, які застосовуються для моніторингу навколишнього середовища на об'єктах АЕС. У якості основного матеріалу вибрано кристали твердого розчину Cd(Zn)Te. Такий вибір зумовлений найбільш вдалим поєднанням електрофізичних та детектуючих характеристик у зазначених матеріалах завдяки високому значенню середнього атомного номеру (Z ~ 50) і значній ширині забороненої зони (1,5…2,2 еВ). Останнє зумовлює високий степінь поглинання іонізуючого випромінювання і високий питомий опір матеріалу (108…1011 Ом?см). Згадані енергетичні та електрофізичні параметри вибраного матеріалу дають можливість використовувати детектори на його основі при кімнатній температурі. Проект також передба Автори роботи Бойко М.І. Коломис О.Ф. Насєка В.М. Пилипенко Н.А. Рарата С.В. Стрельчук В.В. Циканюк Б.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Насєка Юрій Миколайович. Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0217U004894
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18