Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0217U006519, 0117U002910 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження нанорозмірних плазмонних структур типу "металічна гратка - напівпровідникова гетероструктура" як базових елементів нових джерел терагерцового випромінювання створених на основі методик ультрафіолетової інтерференційної літографії Назва етапу роботи Керівник роботи Коротєєв Вадим Вячеславович, Дата реєстрації 14-09-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Робота присвячена комплексному дослідженню надвисокочастотних характеристик гібридних плазмонних структур типу "металічна гратка - напівпровідникова гетероструктура" для застосування їх, як базових елементів генераторів та детекторів терагерцового випромінювання з електричною накачкою та електричним контролем робочих частот. В рамках звітного періоду, дослідження були сфокусовані на розробку теорій нелінійної взаємодії електромагнітного випромінювання з дрейфуючим електронним газом. Зокрема, проаналізовано нелінійний ефект детектування надвисокочастотного випромінювання при резонансному збудженні двовимірних плазмонів в дрейфуючому електронному газі. На основі самоузгодженого розв'язку системи рівнянь Максвелла і нелінійних рівнянь гідродинаміки в другому порядку теорії збурень отриманий вираз для напруги фотовідгуку. Показано, що послідовне врахування поправок другого порядку теорії збурень в рівняннях Максвелла призводить до появи у виразі фотовідгуку додаткового фактору, який враховує радіаційні втрати. Теорія була застосована до аналізу ТГц властивостей плазмонних структур на основі квантових AlGaAs/GaAs та InAs/InGaAs гетероструктури. Проаналізовано вплив оптично товстої діелектричної підкладки та ефекту розігріву носіїв при високих дрейфових швидкостях на спектральні характеристики коефіцієнтів пропускання/поглинання та форму спектрів напруги фотовідгуку. Було отримано, що в інтервалі прикладених електричних полів 200-400 В/см напруга фотовідгуку може досягати значень десятків мВ для зовнішніх сигналів з густиною потужності 1 Вт/см2 в діапазоні частот 0.3-1 ТГц. Розроблено рекомендації щодо раціонального проектування детекторів ТГц випромінювання на основі гібридних плазмонних структур. На основі отриманих результатів сформульовані технологічні завдання для німецьких учасників проекту по виготовленню та тестуванню гібридних плазмонних структур, які заплановані в рамках 2 етапу проекту. Опис продукції В рамках звітного періоду, дослідження були сфокусовані на розробку теорій нелінійної взаємодії електромагнітного випромінювання з дрейфуючим електронним газом. Зокрема, проаналізовано нелінійний ефект детектування надвисокочастотного випромінювання при резонансному збудженні двовимірних плазмонів в дрейфуючому електронному газі. На основі самоузгодженого розв'язку системи рівнянь Максвелла і нелінійних рівнянь гідродинаміки в другому порядку теорії збурень отриманий вираз для напруги фотовідгуку. Показано, що послідовне врахування поправок другого порядку теорії збурень в рівняннях Максвелла призводить до появи у виразі фотовідгуку додаткового фактору, який враховує радіаційні втрати. Теорія була застосована до аналізу ТГц властивостей плазмонних структур на основі квантових AlGaAs/GaAs та InAs/InGaAs гетероструктури. Проаналізовано вплив оптично товстої діелектричної підкладки та ефекту розігріву носіїв при високих дрейфових швидкостях на спектральні характеристики коефіцієнтів пропускання/поглинання Автори роботи Бєляєв Олександр Євгенович Вайнберг Віктор Володимирович Кочелап Вячеслав Олександрович Кухтарук Сергій Миколайович Лящук Юрій Миколайович Наумов Андрій Вадимович Порошин Володимир Миколайович Сингаївська Галина Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Коротєєв Вадим Вячеславович. Дослідження нанорозмірних плазмонних структур типу "металічна гратка - напівпровідникова гетероструктура" як базових елементів нових джерел терагерцового випромінювання створених на основі методик ультрафіолетової інтерференційної літографії. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0217U006519
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17