Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U006664, 0115U000209 , Науково-дослідна робота Назва роботи 1. Фізичні принципи створення нових елементів оптично-електронних приладів на базі моно- та нанокристалічного карбіду кремнію Назва етапу роботи Керівник роботи Воронов Сергій Олександрович, Дата реєстрації 11-12-2017 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Розроблені механізм та особливості впливу нанорозмірної кристалічної надструктури на електронну зонну структуру різних політипів SiC та на основні характеристики електричного пробою р-n структур на базі моно- та нанокристалічного карбіду кремнію. Це дозволило пояснити спектральні і поляризаційні характеристики окремих мікронних ділянок локалізованого пробою мікроплазм та їх залежність від температури, політипу SiC, кристалографічного напрямку електричного поля та отримати з цих даних нові відомості про природу основних смуг випромінювання. Запропоновано модель "ідеального" точкового джерела оптичного випромінювання, для якого реалізовано нові методики та уперше проведено детальне дослідження впливу технологічних факторів, температури, радіаційного опромінення на електричні, флуктуаційні, електролюмінісцентні, поляризаційні характеристики. Розроблені лабораторні зразки еталонних джерел імпульсного випромінювання з субнаносекундною швидкістю дії, високою температурною та часовою стабільністю. Опис продукції Розроблені механізм та особливості впливу нанорозмірної кристалічної надструктури на електронну зонну структуру різних політипів SiC та на основні характеристики електричного пробою р-n структур на базі моно- та нанокристалічного карбіду кремнію. Це дозволило пояснити спектральні і поляризаційні характеристики окремих мікронних ділянок локалізованого пробою мікроплазм та їх залежність від температури, політипу SiC, кристалографічного напрямку електричного поля та отримати з цих даних нові відомості про природу основних смуг випромінювання. Запропоновано модель "ідеального" точкового джерела оптичного випромінювання, для якого реалізовано нові методики та уперше проведено детальне дослідження впливу технологічних факторів, температури, радіаційного опромінення на електричні, флуктуаційні, електролюмінісцентні, поляризаційні характеристики. Розроблені лабораторні зразки еталонних джерел імпульсного випромінювання з субнаносекундною швидкістю дії, високою температурною та часовою стабільністю. Автори роботи Івченко Поліна Олександрівна Генкін Олексій Михайлович Генкіна Віра Костянтинівна Родіонов Володимир Миколайович Шаблатович Андрій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити