Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U006764, 0117U003693 , Науково-дослідна робота Назва роботи Графен-на-сегнетоелектрику для новітніх комірок енергонезалежної пам'яті і надчутливих cенсорів. Назва етапу роботи Керівник роботи Морозовська Ганна Миколаївна, Дата реєстрації 19-12-2017 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Мета НДР побудувати теорію фізичних принципів функціонування графену-на-сегнетоелектрику для створення новітніх пристроїв енергонезалежної пам'яті та надчутливих сенсорів. Для виконання НДР використано інноваційний теоретичний підхід, який комбінує теорію Ландау-Гінзбурга-Девоншира-Халатнікова для опису нелінійної динаміки поляризації у сегнетоелектричній підкладинці з електродинамікою, фізикою напівпровідників, теорією пружності і квантово-механічними підходами для опису електротранспорту у графені-на-сегнетоелектрику. Вплив електричних полів та механічних деформацій на електрофізичний стан графену-на-сегнтоелектрику розрахований самоузгодженим чином. Особливу увагу приділено керуванню провідністю графену за допомогою температурної та часової динаміки доменної структури сегнетоелектрика, розмірних і градієнтних ефектів. В результаті виконання НДР розроблений аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графен-на-сегнетоелектрику, з урахуванням дипольних шарів на вільної поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Розвинута теорія провідності р-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Встановлений вплив розмірних ефектів у таких системах. Результати НДР доцільно використати для видачі рекомендацій щодо вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки. Результати НДР опубліковані у 4 статтях у провідних американських журналах (Journal of Applied Physics - 1, Physical Review Applied - 2, Physical Review B - 1), 1 стаття - в електронному архіві. Опис продукції В роботі розроблений аналітичний опис ефектів пам'яті гістерезисного типу у польовому транзисторі на основі графен-на-сегнетоелектрику, з урахуванням дипольних шарів на вільної поверхні графену і локалізованих станів на його інтерфейсах. Розвинута теорія провідності р-n переходів у графеновому каналі на сегнетоелектричній підкладці, які створені 180-градусною сегнетоелектричною доменною структурою, причому розглянуті випадки різних режимів струму, від балістичного до дифузійного. Встановлений вплив розмірних ефектів у таких системах. Результати роботи доцільно використати для видачі рекомендацій щодо вдосконалення характеристик польових транзисторів з графеновим каналом, комірок енергонезалежної сегнетоелектричної пам'яті з довільним доступом, сенсорів, а також для мініатюризації різних пристроїв функціональної наноелектроніки. Результати досліджень викладені у науковому звіті та опубліковані у 4 статтях у провідних американських журналах (Journal of Applied Physics - 1, Physical Review Applied - 2, Phys Автори роботи Єлісєєв Євген Анатолійович Курчак Анатолій Іванович Морозовська Ганна Миколаївна Хіст Вікторія Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити