Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U006859, 0117U003445 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів і технології виготовлення детекторів рентгенівського і гамма випромінювання на основі напівпровідників Cd(Zn)Te з високою роздільною здатністю для інструментів безпеки та діагностики Назва етапу роботи Керівник роботи Гнатюк Володимир Анастасійович, Дата реєстрації 20-12-2017 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Визначено режими лазерної обробки, та показано, що при лазерному опроміненні зразків з попередньо нанесеною плівкою In відбувається легування і формується p-n перехід у поверхневому шарі кристалу, досліджено його електричні і фотоелектричні характеристики. Параметри виготовлених експериментальних діодів з p-n переходом In/CdTe/Au свідчать про ефективність та перспективність розробленого методу для створення на основі цих бар'єрних структур чутливих елементів для детекторів рентгенівського і гама випромінювання. Опис продукції Розроблено метод лазерно-індукованого легування та виготовлення діодних структур In/CdTe/Au для реєстрації рентгенівських і гамма квантів з надвисокою роздільною здатністю та формування зображень. Автори роботи Левицький Сергій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити