Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U006955, 0116U004398 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розсіяння та випромінювання заряджених частинок великої енергії в тонких шарах кристалічної та аморфної речовини Назва етапу роботи Керівник роботи Шульга Микола Федорович, Дата реєстрації 28-12-2017 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Показано, що розсіювання високоенергетичних заряджених частинок на атомних ланцюжках призводить як до деканалювання, так і до появи у спектрі випромінювання піку, пов'язаного з таким розсіюванням. Вивчено еволюцію спектральної густини випромінювання частинок при зменшенні кута між імпульсом частинки та кристалічною віссю та знайдено частоту піку випромінювання, яка відповідає розсіюванню на окремих атомних ланцюжках у випадку площинного каналювання. Досліджено можливість експериментального спостереження ефекту пригнічення когерентного випромінювання при русі заряджених частинок ГеВ-діапазону енергії в тонких кристалах. З цією метою розглянуто випромінювання при русі частинок у полі неперервного потенціалу кристалічних площин (110) тонкого кристалу кремнію в режимах каналювання і надбар’єрного руху. Розгляд проведено за умов, коли товщина кристалу є меншою за довжину формування випромінювання, а частинка при русі в полі кристалу робить не більше декількох коливань. Отримано залежності усередненої за пучком спектральної щільності випромінювання від товщини кристалу, кута падіння і енергії частинок. Опис продукції На основі аналітичного розрахунку та числового моделювання проведено аналіз проблеми стійкості площинного каналювання заряджених частинок високої енергії в кристалі. Досліджено еволюцію спектральної щільності випромінювання частинок при зменшенні кута між імпульсом частинки та кристалічною віссю. Знайдено частоту піку випромінювання, що відповідає розсіюванню на окремих атомних ланцюжках у випадку площинного каналювання. Досліджено випромінювання при русі частинок у полі неперервного потенціалу кристалічних площин (110) тонкого кристалу кремнію в режимах каналювання і надбар’єрного руху. Показана можливість експериментального спостереження ефекту пригнічення когерентного випромінювання для частинок ГеВ-діапазону енергії за умов, коли товщина кристалу є меншою за довжину формування випромінювання, а частинка при русі в полі кристалу робить не більше декількох коливань. Отримано залежності усередненої за пучком спектральної щільності випромінювання від товщини кристалу, кута падіння і енергії частинок. Зна Автори роботи Бондаренко Микола Вікторович Кириллін Ігор Володимирович Трофименко Сергій Валерійович Трутень Валентин Іванович Фомін Сергій Петрович Шульга Сергій Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити