Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U007022, 0116U004736 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив акустоелектронної взаємодії на умови формування поверхневої надгратки при лазерному опроміненні GaAs, CdTe Назва етапу роботи Керівник роботи Пелещак Роман Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-12-2017 Організація виконавець Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка Опис етапу Досліджено температурні режими формування нанокластерів на поверхні GaAs під дією лазерного опромінення. Запропонована модель дозволяє вибрати оптимальні технологічні параметри (температуру, ступінь легування, інтенсивність лазерного опромінення) для формування поверхневих дефектно-деформаційних структур під дією лазерного опромінення. Встановлено закономірності впливу температури при різних значеннях концентрації донорів на період поверхневих структур адатомів у напівпровіднику GaAs Опис продукції Досліджено температурні режими формування нанокластерів на поверхні GaAs під дією лазерного опромінення. Запропонована модель дозволяє вибрати оптимальні технологічні параметри (температуру, ступінь легування, інтенсивність лазерного опромінення) для формування поверхневих дефектно-деформаційних структур під дією лазерного опромінення. Встановлено закономірності впливу температури при різних значеннях концентрації донорів на період поверхневих структур адатомів у напівпровіднику GaAs. Автори роботи Білинський Ігор Васильович Бойчук Василь Іванович Британ Віктор Богданович Гадзаман Іван Васильович Даньків Олеся Омелянівна Крипак Анатолій Олексійович Кузик Олег Васильович Німецький Володимир Петрович Пелещак Іван Романович Пелещак Роман Михайлович Сенета Мар’яна Ярославівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити