Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U007280, 0117U007678 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне вивчення властивостей парамагнітних центрів забарвлення в наноструктурованому силіцій карбіді методами квантової хімії. Назва етапу роботи Керівник роботи Лузанов Анатолій Віталійович, Дата реєстрації 26-12-2017 Організація виконавець Державна наукова установа "Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів" Національної академії наук України" Опис етапу 1. Для низки головних політипів SiC розроблено зручну техніку геометричної побудови скінченних кластерів та запроваджено їх кількісну геометрико-топологічну характеризацію за допомогою запропонованого індексу електронної кривини другого порядку. Здійснено розрахунки та ретельний аналіз збуджених станів нано-SiC за допомогою раніше розвинутого авторами методу ESSA. Метод поповнено аналізом спінових компонент переносу заряду та впровадженням відповідних чисел переносу спіну внаслідок збудження. Розроблено новий (варіаційно коректний) підхід до оцінок загальних спінових властивостей збуджених станів нанокластерів у часовозалежних хартрі-фоківских та DFT-моделях. Показано, що для дефектних нано-SiC політипів 3C, 2H та 4H обрані квантовохімічні методи (просторово розділені функціонали CAM-B3LYP та M11, базис АО за валентним типом MCP-DZ тощо) цілком задовільно працюють для наноструктур з дивакансією, найцікавіших з позиції практичного застосування. Знайдено, що у вивчених нано-SiC найнижчий оптично активний триплет-триплетний електронний перехід значною мірою (близько 70%) локалізовано на шістьох висячих атомах в околі дивакансії. При цьому перехід визначається сильним переносом заряду та спіну з карбонових на силіцієві висячі атоми. Опис продукції Результати теоретичних досліджень нанокластерів SiC, що належать до різних основних структурних політипів карборунду, методами квантової хімії: DFT та TDDFT. До результатів входить детальна оцінка властивостей основного стану (граничні орбіталі, розподіл заряду, спінової густини тощо) та найнижчого збудженого стану (енергетичні та локалізаційні харатеристики, зокрема, перенос заряду та спінової густини). Автори роботи Жикол Олег Анатолійович Омельченко Ірина Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити