Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U000145, 0116U002919 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження змін фізичних властивостей напівпровідників та приладів на їх основі за різної комбінації зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 22-01-2018 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Встановлено, що в області гальмування протонів з енергією 6,8 MeВ дефекти структури, пов'язані з уведенням водню в ґратку кремнію, виглядають як "пори". При підвищенні температури відпалу понад 600^оС виявлено відшаровування опроміненої частини кристала товщиною 360 мкм, що відповідає глибині пробігу 6,8 MeВ протонів у кремнії. Показано, що в області гальмування 43 МеВ протонів у кремнії, відпаленому при 800^оС, спостерігається утворення дислокацій та їх скупчень. При підвищенні температури відпалу до ~1000^оС у прошарках росту кремнію виявлено утворення частинок нової фази і дефектів, що їх супроводжують. З'ясовано, що спектр випромінювання зелених електролюмінісцентних діодів GaP при 77 K складається із чотирьох ліній, існування яких обумовлено анігіляцією екситонів, зв'язаних на ізольованих атомах азоту та на парних комплексах типу NN. Показано, що екситонне свічення у декілька разів чутливіше до наявності у зразку радіаційних дефектів, ніж донорно-акцепторне випромінювання. Встановлено, що ультразвукова обробка опромінених гамма-квантами зразків кремнію посилює міграцію міжвузлових атомів вуглецю, руйнуючи радіаційні дефекти "вузловий фосфор-міжвузловий вуглець", а також зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансії. На монокристалах германію та кремнію n-типу провідності досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у широкому інтервалі концентрацій (від 10^12 до 10^17 см^-3). Встановлено, що зазначений параметр у германії (на відміну від кремнію) є малочутливим до наявності домішок у кристалах аж до концентрацій порядку 10^15 см^-3. Опис продукції Виявлено в області гальмування 6,8 МеВ протонів дефекти структури, пов'язані з уведенням водню в ґратку Si, у вигляді "пор". Встановлено вищу чутливість екситонного свічення зелених електролюмінісцентних GaP діодів, ніж донорно-акцепторного випромінювання, до наявності у зразках радіаційних дефектів. Встановлено зменшення імовірності конфігураційної перебудови дивакансій внаслідок ультразвукової обробки опроміненого гамма-квантами Si. Встановлено слабку чутливість параметра анізотропії термоерс до наявності домішок у кристалах Ge аж до концентрацій ~10^15 см^-3. Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Долголенко Олександр Петрович Конорева Оксана Володимирівна Ластовецький Володимир Францевич Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити