Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U000146, 0116U008468 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефекти радіаційного і технологічного походження та їхній вплив на властивості напівпровідникових матеріалів і світлодіодних структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 22-01-2018 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Виявлено різкий розподіл домішок у межах р-n-переходу для червоних GaP світлодіодів і переважно лінійний - для зелених. Унаслідок опроміненням швидкими нейтронами реактора одержано зростання ймовірності тунельного пробою в зелених діодах, лавинного - в червоних. Встановлено залежність радіаційної стійкості світловипромінюючих InGaN/GaN гетероструктур від підкладинки, на якій вони сформовані: cвітлодіоди на кремнієво-вуглецевій підкладинці (порівняно з кремнієвою підкладинкою із золото-олов'яним контактом) мають кращі електричні та люмінесцентні характеристики, проте нейтронне опромінення призводить до більших змін їхніх характеристик. Встановлено подвійний вплив ультразвукової обробки на GaP світлодіоди: з одного боку, руйнування екситонів, зв'язаних на комплексі Zn-O, та формування дислокаційних сіток і рухомих дислокаційних пакетів, котрі є областями безвипромінювальної рекомбінації, а з іншого боку, сприяння відпалу радіаційних дефектів у зразку і зменшенню числа мікроплазм. Показано перспективність використання ультразвукових хвиль для поліпшення характеристик GaP світлодіодів з високою концентрацією дефектів, особливо опромінених швидкими частинками. В опроміненому нейтронами кремнії одержано скорочення часу преципітації кисню завдяки додатковому введенню зародків преципітатів за участі первинних радіаційних дефектів, створених опроміненням. Унаслідок ефекту гетерування домішок і дефектів на окисних преципітатах одержано істотне покращення якості матеріалу, що є важливим при виготовленні напівпровідникових приладів. Запропоновано модель поведінки міжвузлових атомів кремнію в кластерах дефектів, яка пояснює температурну залежність рухливості електронів при вимірюванні ефекту Холла зі зниженням і зворотним підвищенням температури зразків кремнію, вирощених різними методами. Опис продукції Виявлено різкий розподіл домішок у межах р-n-переходу для червоних GaP діодів і переважно лінійний - для зелених. Одержано внаслідок опроміненням швидкими нейтронами зростання ймовірності тунельного пробою в зелених діодах, лавинного - в червоних. Встановлено залежність радіаційної стійкості InGaN/GaN гетероструктур від підкладинки, на якій вони сформовані. Показано перспективність використання ультразвукових хвиль для поліпшення характеристик GaP діодів з високою концентрацією дефектів. Виявлено в опроміненому нейтронами Si скорочення часу преципітації кисню. Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Долголенко Олександр Петрович Конорева Оксана Володимирівна Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити