Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U000245, 0115U001093 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження дефектних станів у модифікованих нелінійно-оптичних кристалах типу Sn2P2S6 Назва етапу роботи Керівник роботи Грабар Олександр Олексійович, Дата реєстрації 23-01-2018 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний університет" Опис етапу Проект був спрямований на експериментальні дослідження та розробка моделей дефектних станів у кристалах типу Sn2P2S6, аналіз зумовлених ними фізичних властивостей та отримання на цій основі активних середовищ з підвищеними фоторефрактивними характеристиками. В результаті виконання завдань проекту отримані наступні результати. Вирощені нові монокристали типу Sn2P2S6, в тому числі леговані різними елементами. Проведено модельні розрахунки енергетичних спектрів кристалів з домішками різного типу (Ag, Cr, Cu) та зроблено висновки щодо локалізації відповідних домішкових рівнів. Експериментально досліджено спектри індукованого фотозбудженням електронного парамагнітного резонансу та на цій основі ідентифіковано дефектні (вакансійні) та домішкові стани у кристалах Sn2P2S6. Вивчено вплив радіаційного та світлового опромінення на діелектричні властивості цих монокристалів. Голографічним методом на основі фоторефрактивного ефекту визначено рухливості фотоіндукованих носіїв заряду в даних матеріалах. Проведено експерименти по дослідженню термостимульованих процесів (деполяризації та люмінесценції) в кристалах даного типу. Опис продукції ). Отримані нові монокристали типу Sn2P2S6, в тому числі леговані різними елементами. Проведено модельні розрахунки енергетичних спектрів домішкових та локалізованих станів у кристалах типу Sn2P2S6, з домішками Ag, Fe, Cr. Проведені експериментальні дослідження домішкових та дефектних станів методом спектроскопії ЕПР, а також досліджено діелектричні, оптичні та фоторефрактивні характеристики кристалів з дефектами різного типу. Голографічним методом визначено рухливості фотоіндукованих носіїв заряду. Отримано зразки Sn2P2S6 модифіковані радіаційним опроміненням різного типу та досліджено його вплив на діелектричні параметри кристалів Автори роботи . Грабар Олександр Олексійович І. М. Стойка К. Є. Глухов М. В. Цигика О. О. Молнар Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити