Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U000401, 0115U001092 , Науково-дослідна робота Назва роботи Халькогенідні кристали фероїків різної розмірності для бістабільних елементів електроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Молнар Олександр Олексійович, Дата реєстрації 29-01-2018 Організація виконавець Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний університет" Опис етапу Досліджені експериментально і на основі розрахунків з перших принципів проаналізовані залежності електронних та фононних спектрів кристалів Sn(Pb)2P2S(Se)6 від тиску (в діапазоні до десятків ГПа), визначені характеристики переходів напівпровідник - метал для різних структурних фаз. Методом фаз Беррі розраховані залежності спонтанної поляризації від тиску. Експериментально досліджені оптичні, діелектричні, електрофізичні та термоелектричні властивості кристалів в залежності від температури та проаналізовано вплив тиску на ці властивості. Вивчена доменна структура сегнетоелектричних фаз 3D кристалів Sn2P2S6 та 2D кристалів CuInP2S6 шляхом спостереження процесів перемикання та петель гістерезису з допомогою п'єзо-силової мікроскопії. Співставленні спостережувані температурні залежності доменної структури з результатами моделювання методом Монте - Карло на основі розрахунків з перших принципів локального трьох ямного потенціалу для флуктуацій спонтанної поляризації. По даних температурної залежності діелектричної проникності з різними швидкостями зміни температури (в діапазоні 0.1 - 0.001 К хв-1) досліджені прояви ефектів нерівноважності. Вивчені залежності доменної структури від товщини монокристалічних пластин CuInP2S6 при її зменшенні до десятків нанометрів. Вивчена роль іонної та напівпровідникової провідності в процесах екранування деполяризуючого поля спонтанної поляризації Опис продукції Розроблена технологія виготовлення 3D сегнетоелектричних твердих розчинів (PbxSn1-x)2P2(SySe1-y)6 з оптимальними пружними, акустичними та п'єзоелектричними характеристиками, необхідними для виготовлення бістабільних елементів електроніки. Синтезовані 2D шаруваті сегнетоелектрики CuInP2S6 та CuCrP2S6 в моно-, полі- та нанокристалічному вигляді. Вивчено структурні, електричні та діелектричні властивості і вплив розмірного ефекту на процеси перемикання поляризації (в діапазоні 10нм-100нм Автори роботи Височанський Юліан Миронович Горват Андрій Андрійович Марковська Наталія Імрівна Молнар Олександр Олександрович Шпак Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Молнар Олександр Олексійович. Халькогенідні кристали фероїків різної розмірності для бістабільних елементів електроніки.. (Етап: ). Державний вищий навчальний заклад "Ужгородський національний університет". № 0218U000401
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16