Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U000418, 0116U002578 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти наноструктуризації в боратних та халькогенідних матеріалах із структурою скла для прогресивних застосувань в оптоелектроніці Назва етапу роботи Керівник роботи Шпотюк Олег Йосипович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 29-01-2018 Організація виконавець Інститут фізичної оптики імені О.Г. Влоха Міністерства освіти і науки України Опис етапу Синтезовано та підготовлено зразки даних БС із сформованими шляхом відпалу НЧ Ag, а також плоско-паралельні взірці ХНС As2Se3 з додатками Ga (1-5 ат. %). Досліджено плазмонні спектри і нелінійно-оптичні властивості нанокомпозитів на основі різних систем БС, представлено феноменологічний опис даних ефектів. Отримано та параметризовано спектральні залежності оптичного пропускання ХНС As2Se3-Ga з різним вмістом Ga (1-5 ат. %), а також спектри часів життя позитронів в БС Li2B4O7:Ag(Cu) і ХНС As2Se3-Ga. Відпрацьовано кластерні структурні моделі БС Li2B4O7:Ag(Cu) і ХНС As2Se3-Ga. Опис продукції Запропоновано структурно-кластерну модель, на основі якої розвинуто феноменологічний опис ефектів наноструктурування в Ga-вмісних халькогенідних напівпровідникових стеклах (ХНС). Розраховано енергетичні конфігурації геометрично-оптимізованих сіткоформуючих кластерів в ХНС типу As2Se3-Ga, які забезпечують локальну стабілізації надлишкового електричного заряду, необхідного для подальшого впровадження рідкісно-земельних йонів. Автори роботи Адамів Володимир Теодорович Влох Ростислав Орестович Крупич Олег Миколайович Мартинюк-Лотоцька Ірина Юріївна Падляк Богдан Володимирович Скаб Ігор Петрович Теслюк Ігор Михайлович Шпотюк Любов Йосифівна Шпотюк Олег Йосипович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити