Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001090, 0115U000380 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів одержання та метрологічного забезпечення складних напівпровідників та приладових структур Назва етапу роботи Керівник роботи Власенко Олександр Іванович, Томашик ВасильМиколайович, Дата реєстрації 18-01-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Об'єкт дослідження та розроблення: розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро-, фото- і сенсорної електроніки, в т.ч. на основі нових фізичних принципів, розробка методів і способів одержання, характеризації та метрологічного забезпечення складних напівпровідникових матеріалів і структур. Мета роботи: розробка методів одержання та метрологічного забезпечення складних напівпровідників та приладових структур, створення на їх основі елементної бази перспективної напівпровідникової електроніки. Результати роботи: отримано нові важливі наукові, науково-технічні та технологічні результати по наступних напрямках: - Високочастотний контроль лазерних та нано плазмонних структур. - Функциональна оптоелектроніка на основі композиційних матеріалів та новітніх приладових структур: методи отримання, використання і метрологічного забезпечення. - Оптичні і радіоспектроскопічні дослідження власних і індукованих зовнішніми впливами ефектів структурного розупорядкування у різних типах напівпровідникових матеріалів і структур. - Одержання методами друкованої електроніки та дослідження шарів твердих розчинів на основі оксиду цинку як матеріалу для джерел білого випромінювання та детекторів ультрафіолетового випромінювання. - Розробка технологій формування та дослідження тонкоплівкових функціональних наноструктурованих систем, чутливих до термічних, радіаційних та адсорбційних впливів, та виготовлення на їх основі приладних макетів методом самоорганізації. - Високороздільна Х-променева і нанозондова діагностика структурних, деформаційних, компонентних, енергетичних, електричних та магнітних параметрів матеріалів та мікро- і наноструктур. - Розробка напівпровідникових детекторних і сенсорних структур видимого, ІЧ та НВЧ діапазонів. - Розробка та виготовлення багатофункціональних сенсорів на основі наноматеріалів і напівпровідникових гетеросистем Результати НДР є принципово важливими для створення сучасних технологій одержання напівпровідникових матеріалів і структур для потреб мікро-, нано-, опто-, фото-, сенсорної електроніки тощо. Ключові слова: оптоелектроніка, фотоелектроніка, мікроелектроніка, наноелектроніка, сенсорика, терагерцовая електроніка, фононні лазери, акусто-плазмоніка, нанотехнології, квантово-розмірні структури, нано-розмірні структури, нанопокриття, нанокомпозити, наноматеріали, високороздільна дифрактометрія, скануюча зондова мікроскопія, гетероструктури, радіоспектроскопія, епітаксія, світлодіоди, А3В5, А2В6 акустоемісія, ІЧ та ТГц приймачі випромінювання, імпульсне лазерне опромінення, сенсори, фотоперетворювачі, друкована електроніка, сонячна енергетика, плазмон, нанотехнологія, наноплазмоніка, оптична діагностика, дефекти, розупорядкування. Опис продукції Композитні наноструктуровані матеріали, функціональні властивості яких можуть буди змінені зовнішнім освітленням, що дозволяє розширити ("віртуальні" сенсорні масиви) та змінювати профіль селективності хімічних сенсорів. Малогабаритна нефелометрична структура на основі уніфікованого оптоелектронного модуля для визначення основних оптичних параметрів стану атмосферного середовища. Експресний спосіб тестування світлодіодів для підвищення надійності матричних джерел світла Композитні шари та кераміка з різним вмістом кристалічних фаз ZnO, Zn1-хMgхO, ?-LiAlO2, MgTiO3, Mg2TiO4 та інш., виготовлені із суміші порошків оксидів (ZnO, Al2O3, MgO, TiO2) та легуючих домішок, показано, що фосфори Mg2TiO4:Mn та ZnO-MgO-TiO2 є перспективними матеріалами для розробки люмінофорів червоного та випромінювачів білого світла, відповідно. Мікроелектронна технологія виготовлення діодів та фотодіодів, чутливих до ультрафіолетової ділянки спектру. Апаратна частина та спеціалізоване програмне забезпечення макетного зразка контро Автори роботи Борщагівський Є.Г. Валах М.Я. Власенко О.І. Главін Б.А. Дмитрук М.Л. Костюкевич С.О. Кочелап В.О. Кукла О.Л. Назаров О.М. Олексенко П.Ф. Родіонов В.Є. Свєчніков С.В. Снопок Б.А. Стронський О.В. Шутов С.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити