Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001092, 0115U004262 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Експериментальні та теоретичні дослідження електричних та надвисокочастотних властивостей наноструктур та приладів наноелектроніки, що створені на основі широкощілинних напівпровідникових матеріалів" Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-01-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Мета етапу - визначення впливу деформацій на структурні та оптичні характеристики гетероструктур (ГС) з GaN/AlN надгратками (НГ), які були вирощені на підкладках GaN/Al2O3 (0001). Методи дослідження - електронна мікроскопія, рентгенівська дифрактометрія, мікро-Раманівська, фотолюмінесцентна та інфрачервона Фур'є спектроскопія. Встановлено, що зі збільшенням числа періодів в ГС з GaN/AlN надгратками значно покращується структурна якість складових шарів НГ, границі між шарами стають більш різкими на атомарному рівні, механічні напруження в шарах GaN зростають, в бар'єрних AlN шарах відбувається їх релаксація. Показано, що зі збільшенням числа періодів НГ, оптичне випромінювання з квантових ям GaN значно зсувається в червону частину спектру (від 3.28 еВ для 5-періодної структури до 3,18 еВ для 20-періодної структури), нижче ширини забороненої зони GaN, завдяки квантово-розмірному ефекту Штарка. Залежність енергії піків фотолюмінесценції від кількості періодів НГ добре узгоджується з результатами досліджень Раманівської спектроскопії та рентгенівської дифрактометрії та свідчить про те, що домінуючий вплив на енергію оптичних міжзонних переходів в квантових ямах GaN створюють механічні напруження в шарах НГ. При дослідженні залежності фононної частоти від напружень в НГ визначено фононні деформаційні потенціали a та b для E2H та ETO мод в GaN та AlN шарах: для моди E2H a(GaN) =-1027, b(GaN) =-597, a(AlN) =-1216, b(AlN) =-969; для моди ETO a(GaN) =-1086, b(GaN) = -204, a(AlN) = -915, b(AlN) = -567. Опис продукції Експериментальні дослідження впливу деформацій на структурні та оптичні характеристики гетероструктур на основі широкощілинних матеріалів з GaN/AlN надгратками. За допомогою електронної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії, мікро-Раманівської, фотолюмінесцентної та ІЧ-Фур'є спектроскопії встановлено, що зі збільшенням числа періодів в гетероструктурах з GaN/AlN надгратками значно покращується структурна якість складових шарів надгратки, границі між шарами стають більш різкими на атомарному рівні, механічні напруження в шарах GaN зростають, в бар'єрних AlN шарах відбувається їх релаксація. Показано, що зі збільшенням числа періодів надгратки, оптичне випромінювання з квантових ям GaN значно зсувається в червону частину спектру, нижче ширини забороненої зони GaN, завдяки квантово-розмірному ефекту Штарка. При дослідженні залежності фононної частоти від напружень в НГ визначено фононні деформаційні потенціали a та b для E2H та ETO мод в GaN та AlN шарах. Автори роботи Бєляєв Олександр Євгенович Кладько Василь Петрович Коломис Олександр Федорович Коротєєв Вадим В'ячеславович Кочелап Вячеслав Олександрович Кучук Андріан Володимирович Лящук Юрій Миколайович Наумов Андрій Вадимович Райчева Валентина Григорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити