Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001243, 0117U006195 , Науково-дослідна робота Назва роботи Структурні дослідження іонно-модифікованих AlGaN-GaN гетероепітаксійних систем для приладів нано- і оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Станчу Григорій Вікторович, Дата реєстрації 26-01-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Досліджено закономірності глибинного розподілу деформацій та композиційного складу для іонно-імплантованих GaN та композиційно-градієнтних AlxGa1-xN структур. Запропоновано спосіб моделювання кривих дифракційного відбиття Х-променів з використанням напівкінематичної моделі дифракції у геометрії відбивання для іонно-імплантованих шарів. Розроблено метод фітування на основі алгоритму пошуку мінімуму функції Хука-Дживса для визначення профілю деформації імплантованих шарів. Проведена імплантація та Х-променеві дифракційні вимірювання для композиційно-градієнтних AlxGa1-xN структур. Опис продукції Спосіб моделювання кривих дифракційного відбиття Х-променів для іонно-імплантованих шарів з використанням напівкінематичної моделі дифракції містить в собі метод фітування на основі алгоритму пошуку мінімуму функції Хука-Дживса для визначення профілю деформації імплантованих шарів. Процедура фітування складається з багаторазового повторення кроків 2-5 з використанням алгоритмів мінімізації помилки. Автори роботи Кривий Сергій Борисович Любченко Олексій Ігорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити