Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001271, 0115U000519 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізико-хімічних основ технологій функціональних плівкових наноструктурованих шарів для геліоенергетики Назва етапу роботи Керівник роботи Зубарєв Євгеній Миколайович, Дата реєстрації 22-02-2018 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкт дослідження: функціональні плівкові та наноструктуровані шари для приладових структур геліоенергетики. Мета проекту - створення фізико-хімічних основ технології одержання наноструктур оксиду цинку, плівок кестеритів та сульфіду олова з оптимізованою морфологією і керованими структурними характеристиками, поліпшеними оптичними і електричними властивостями та розробка на їх основі конструктивно-технологічних рішень сенсибілізованих квантовими точками гібридних ФЕП, антивідбивних покриттів для плівкових ФЕП і селективних покриттів для теплових колекторів. Методи досліджень - комплексний аналіз технологічних режимів отримання та структурних, оптичних і електричних властивостей наноструктурованих шарів оксиду цинку, плівок кестеритів та сульфіду олова. Основні науково-технічні результати. Розроблені фізико-хімічні основи лабораторної технології функціональних плівкових та наноструктурованих шарів на основі ZnO, SnS і Cu2ZnSnS4 для приладових структур геліоенергетики: визначені фізико-хімічні механізми впливу режимів імпульсного електрохімічного осадження на параметри кристалічної структури та фізичні властивості наноструктурованих шарів. Вперше запропонована обробка наноструктури з ZnO в ультрафіолетовому випромінюванні для оборотного переходу з режиму високої гідрофобності до гідрофільності. Отримано нанокомпозитні селективні покриття Ni/ZnO для сонячних теплових колекторів. Розроблено базовий шар ФЕП з надтонким абсорбером на основі сенсибілізованого селеном наноструктурованого масиву ZnO. Розроблено та виготовлено тестовий зразок інноваційного УФ фотодетектора Al/ZnO/FTO/Al з високою селективною чутливістю. Розроблено нові тонкоплівкові композиції для ФЕП нової генерації Zn(O,S)/p-SnS і n-ZnS/p-Cu2ZnSnS4, які отримано комбінацією двох економічних рідиннофазних методів: електроосадження і SILAR. Розроблені і виготовлені напівпровідникові бар'єрні гетероструктури Al/ZnS/Cu2ZnSnS4/Mo/Al та Al/Zn(O,S)/SnS/Mo/Al, які є перспективними для використання в тонкоплівкових ФЕП нового покоління. Опис продукції Фізико-хімічні основи лабораторної технології отримання наноструктурованих шарів на основі ZnO, SnS і Cu2ZnSnS4 для приладових структур геліоенергетики. Тестовий зразок інноваційного УФ фотодетектора Al/ZnO/FTO/Al з високою селективною чутливістю. Нові напівпровідникові бар'єрні гетероструктури Al/ZnS/Cu2ZnSnS4/Mo/Al та Al/Zn(O,S)/SnS/Mo/Al, які є перспективними для використання в тонкоплівкових СЕ нового покоління. Автори роботи Зайцев Роман Валентинович Кіріченко Михайло Валерійович Клєпікова Катерина Сергійовна Клочко Наталя Петрівна Копач Володимир Романович Лук'янова Олександра Віталієвна Любов Віктор Миколойович Меріуц Андрій Волдимирович Нікітін Віктор Олексійович Харченко Микола Михайлович Хрипунов Геннадій Семенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити