Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U001360, 0117U006196 , Науково-дослідна робота Назва роботи Наноструктурування гетероепітаксійних систем CdHgTe/CdZnTe іонами Ag+ для ІЧ та НВЧ детекторів Назва етапу роботи Керівник роботи Удовицька Руслана Сергіївна, Дата реєстрації 01-02-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На даний час існує значна кількість експериментальних результатів, що вказують на формування в конденсованих середовищах регулярних структур, в тому числі періодичних і квазіперіодичних, під дією зовнішнього радіаційного опромінення, або потоків заряджених частинок, нейтронів або ?-квантів. Однією з важливих особливостей структур, що виникають при цьому, є те, що їх довжина хвилі виявляється значно більше, ніж постійна кристалічної гратки. При цьому у модифікованих таким чином матеріалах виникають специфічні фізичні властивості, що є фактором пильного їх вивчення. Відомі результати структурування поверхні металів, тонких плівок FeNi/Au, Ag2S іонами Ag+ та Cu+ та базових напівпровідників Si, Ge. Виявлено домінуючі механізми та створені сучасні теоретичні моделі: Бредлі-Харпера; Куерно; Норріса та Барабасі відповідно до яких утворення впорядкованих наноструктур є наслідком нестабільності, викликаної залежністю коефіцієнту іонного розпилення мішені від ступеня викривлення поверхні твердого тіла, що обробляється. Вони зводяться до рівня енергії іонного потоку, який забезпечує статистичний опис процесу формування наноструктур. В сучасному виробництві, наноструктуровані матеріали представлені активними функціональними елементами в різного роду сенсорах, наприклад, хімії та газу, у якості фотокаталізаторів; сонячних елементів; надяскравих люмінесцентних та фосфоресцентних матеріалах. Що до іонного структурування, розпилення та впливу механічних напружень проведений аналіз літературних джерел показує на відсутність результатів з формування на поверхні CdHgTe нано- та мікроструктур. Опис продукції Іонна обробка напівпровідників, як нанотехнологія для наноструктуровання складних напвіпровідникових мвтеріалів. Вироб - гібрідний детектор Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Удовицька Руслана Сергіївна. Наноструктурування гетероепітаксійних систем CdHgTe/CdZnTe іонами Ag+ для ІЧ та НВЧ детекторів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0218U001360
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18