Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001403, 0115U005017 , Науково-дослідна робота Назва роботи Терагерцові властивості напівпровідникових наноструктур з високою рухливістю носіїв з метою створення детекторів випромінювання. Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 07-02-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Проект спрямований на вивчення можливостей створення широкоспектральних фотодетекторів у діапазоні суб-ТГц/ТГц/ІЧ випромінювання на основі наноструктур та шарів CdхHg1-хТe. Розроблено новий підхід щодо детектування ІЧ- випромінювання за допомогою шарів вузькозонного напівпровідникового з'єднання CdHgTe на основі термомеханічних деформацій та пьезопотенціалу, що виникає на гетерограниці CdHgTe і підкладинки (Si/GaAs). Розроблено конструкцію прототипу такого ІЧ- фотодетектору без застосування електричного зміщення і примусового охолодження. Отримано експериментальні результати та зроблено оцінку чутливості такої структури, яка виявилася на рівні D=109(Ватт-1cм·Гц-0,5) (для ?f = 1 Гц). Відпрацьовано розварювання тестових зразків та досліджено їх електричні характеристики. Проведено моделювання розсіювання і рухливості носіїв в квантовій ямі для оцінки граничних параметрів детекторів на її основі. Отримано ефект просвітлення градієнтною структурою на основі шарів алмазоподібної вуглецевої плівки a-C:H:N (DLC), що обрамляє фотодетектор по обидва його боки. Опис продукції Дослідження спрямовані на вивчення можливостей створення фотодетекторів ІЧ випромінювання на основі наноструктур та шарів CdхHg1-хТe. Розроблено новий підхід щодо детектування ІЧ- випромінювання за допомогою шарів вузькозонного напівпровідникового з'єднання CdHgTe на основі термомеханічних деформацій та пьезопотенціалу, що виникає на гетерограниці CdHgTe і підкладинки (Si/GaAs).Розроблено конструкцію прототипу такого ІЧ- фотодетектору без застосування електричного зміщення і примусового охолодження. Отримано експериментальні результати та зроблено оцінку чутливості такої структури. Проведено моделювання розсіювання і рухливості носіїв в квантовій ямі для оцінки граничних параметрів детекторів. Автори роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна Забудський Вячеслав Володимирович Мележик Євген Олександрович Сахно Микола Вадимович Сизов Федір Федорович Смірнов Олексій Борисович Цибрій Зеновія Федорівна Шевчик-Шекера Анна Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити