Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U001530, 0116U000809 , Науково-дослідна робота Назва роботи Активні твердотілі елементи для генерації, помноження частоти та випромінювання електромагнітних хвиль у терагерцовому діапазоні Назва етапу роботи Керівник роботи Аркуша Юрій Васильович, Боцула Олег Вікторович, Дата реєстрації 21-02-2018 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Звіт про 2 етап НДР: 89 арк., 53 рис., 52 джерела. ГЕТЕРОПЕРЕХІД, ВАРИЗОННИЙ ШАР, НАПРУЖЕНІСТЬ ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ, УДАРНА ІОНІЗАЦІЯ, РЕЗОНАНСНО-ТУНЕЛЬНА ГРАНИЦЯ, ЕЛЕКТРОМАГНІТНЕ ПОЛЕ. Об'єкт дослідження - ефекти пов'язані з ударною іонізацією, тунелюванням та міждолинним переносом електронів, що призводять до генерації електромагнітних коливань в мм- та терагерцовому діапазонах або отримання їх за рахунок помноження частоти та процеси формування електромагнітних полів напівпровідниковими структурами. Мета роботи - пошук нових та вдосконалення існуючих активних елементів для генерації, помноження частоти та випромінювання в терагерцовому діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів у напівпровідникових структурах із МПЕ і ударною іонізацією, квантоворозмірних структурах на основі подвійних та потрійних сполук напівпровідників А3В5 в тому числі нітридів, методом Монте-Карло, методом усередненням кінетичного рівняння Больмана та розв'язанням системи рівнянь Максвелла в часовій області. Актуальність роботи зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для генерації та випромінювальних елементів у вказаних діапазонах довжин хвиль. Новизна роботи полягає в виявленні закономірностей, що дозволять підвищити потужність існуючих активних елементів та модифікувати їх структуру для підвищення ефективності та граничних частот роботи, виявленню нових фізичні явищ та властивостей та створення підходів для створення нових активних елементів та конструкцій на їх основі для роботи в терагерцовому діапазоні. В роботі досліджено фізичні процеси в приладах з резонансно-тунельними границями на основі напівпровідників А3В5, в коротких діодних структурах на основі варизонних напівпровідників з ударною іонізацією. Проведено пошук оптимальних конфігурацій діодів з МПЕ на основі складних напівпровідникових сполук для роботи в широкому діапазоні частот, що за своїми характеристиками перевищують існуючі. Досліджена можливість перетворення частоти в терагерцовому діапазоні з використанням активних напівпровідникових елементів за рахунок випромінювання електромагнітних хвиль. Умови одержання звіту: за договором. 61022, м. Харків, майдан Свободи, 4. Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис продукції Побудовано ефективні для застосування в системах автоматизованого проектування математичні моделі напівпровідникових структур на основі метода Монте-Карло та багатосіткових швидкодіючих алгоритмів знаходження розподілів полів. Створений на їх основі програмний комплекс дозволяє аналізувати швидкоплинні нестаціонарні процеси в 2-x та 3 -х вимірних структурах, що містять різнорідні області (напівкласичні та квантові), в тому числі в екстремальних умовах (температурний розігрів та ударна іонізація) та враховує електродинамічне середовище в якому знаходиться прилад. Автори роботи І. Стороженко В. Зозуля К. Приходько Л. Головко Л. Ткачук М. Полянський О. Боцула О. Ярошенко Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити