Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U001630, 0115U001419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 25-04-2018 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Методом зонда Кельвіна досліджено просторовий розподіл поверхневого потенціалу гетероструктур Ge/Si з нанорозмірними об'єктами. Показано, що варіації поверхневого потенціалу обумовлені зарядом дірок, захоплених квантово-розмірними станами нанокластерів Ge та інтерфейсу Ge/Si. Дослідження кінетики загасання фотопровідності виявили, що германієва плівка суттєво впливає на транспорт та рекомбінацію нерівноважних носіїв заряду у бар'єрних структурах на основі гетеропереходу ITO/p-Si. Показано, стрибковий механізм транспорту фотозбуджених електронів у германієвих нанооб'єктах визначає темп рекомбінації у гетероструктурі. Опис продукції Автори роботи Варавка О.В. Козирев Юрій Миколайович Мельничук Є.Є. Сидоренко І.Г. Скляр В.К. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Козирев Юрій Миколайович. Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних. (Етап: ). Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України. № 0218U001630
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19