Реєстраційний номер
0218U002288,
0117U003568
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Теоретичне та експериментальне дослідження механізмів струмопереносу в омічних контактах до n+ та n+-n-Si з сильним виродженням електронів в приконтактній області
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Конакова Р.В.,
Дата реєстрації
08-02-2018
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
Запропоновано модель формування контактного опору в структурах Au-Ti-Pd-n+-n-n+-Si зі сходинкою легування. За допомогою методів аналізу дифузійного розсіяння рентгенівських променів в 2?-, 2?-?- та ?-сканах а також їх комплексного аналізу проведена оцінка щільності структурних дефектів в n+ шарах Si сформованих дифузією фосфору, гомогенності їх розподілу по пластині та обраховано внутрішні механічні напруги і концентрацію дислокацій. Встановлено, що оптимальні параметри термообробки при дифузії фосфору для створення -n+ шару в кремнії товщиною 0,5 мкм складають: температура відпалу 925 оС, тривалістю 23 хв - при нижчих температурах значно вища кількість дефектів вакансійного типу, а при вищих - відбувається значний ріст довжини дислокацій, які можуть проростати у активну область. Виявлено, що найбільша щільність дислокацій в зразку виникає при Тдифузії = 970 оС і складає 6,68·105 см-2. Експериментально досліджено температурну залежність питомого контактного опору ?с(Т) для двох типів контактів на основі Au-Ti-Pd-n++-n-n+-Si та показано, що, у однакових за металізацією та легуванням n++- шару контактах в залежності від концентрації n - шару може реалізовуватись як ростуча, так і падаюча температурна залежність питомого контактного опору, що може свідчити про визначальну роль сходинки легування у струмопереносі.
Опис продукції
Розроблено технологію створення омічного контакту з покращеною межею розділу на основі Au-Ti-Pd-n+-n-n+-Si для лавино-пролітних діодів, встановлено оптимальні параметри виготовлення контакту. Модифіковано модель вертикального і планарного контактів для розрахунку температурної залежності питомого контактного опору для різних ступенів легування та щільності структурних дефектів в приконтактних n+ шарах Si та проведено її апробацію на основі експериментальних досліджень rс(Т). Виявлено визначальну роль сходинки легування у струмопереносі в омічному контакті.
Автори роботи
Дуб М.М.
Капітанчук Л.М.
Кудрик Я.Я.
Міленін В.Г.
Охріменко О.Б.
Редько Р.А.
Редько С.М.
Романець П.М.
Сай П.О.
Саченко А.В.
Сліпокуров В.С.
Шинкаренко В.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
