Реєстраційний номер
0218U002299,
0117U001509
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
ІФН-2017/1
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Кладько Василь Петрович,
Дата реєстрації
14-02-2018
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
Проведено аналіз конструкції та параметрів технологічних шарів фотодіоду ФД 3307, найближчого аналога щодо поставленої задачі методами SIMS, XPS та REM (Cross Section). Визначено склад і основні параметри технологічних шарів, що формують конструкцію чіпу чутливого елементу ФД 3307. Визначені технологічні операції та розроблений експериментальний технологічний маршрут виготовлення платівок антимоніду індію з чіпами багатоелементного фотоприймального пристрою середньохвильового інфрачервоного випромінювання. Розроблена топологія тестової конструкції чіпу. Виготовлені 6 топологічних шарів фотошаблонів. Оптимізовано пасивуючі покриття поверхні антимоніду індію власним окисом (In3O3+Sb2O3), що формується анод-ним окисленням в електроліті на основі персульфіду амонію. Показано, що альтернативним способом формування пасивуючого покриття сукупно з захисним шаром є SiNx товщиною ~ 0.35µm, отриманий методом піролізу сілану (SiH4) в парогазовій суміші аміаку з воднем (NH4+H2) при зниженому тиску в плазмі (PECVD).
Опис продукції
Експериментальний технологічний маршрут виготовлення платівок антимоніду індію з чіпами багатоелементного фотоприймального пристрою середньохвильового інфрачервоного випромінювання та способи формування пасивуючого покриття для цих платівок.
Автори роботи
Б.М.Романюк
В.Г. Попов
В.П. Мельник
Н.В. Сафрюк
О.В. Дубіківський
О.Й. Гудименко
О.С.Оберемок
С.В.Сапон
Т.М.Сабов
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
