Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U002590, 0114U001834 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення комплексу експресного контролю параметрів матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Глинчук Костянтин Давидович, Стрільчук Оксана Миколаївна, Дата реєстрації 26-04-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Звіт по НДР: 26 с., 3 частини, 7 рисунків, 24 посилання. Метою проекту є адаптація методу люмінесцентної експрес-діагностики для дослідження впливу іонізуючого опромінення на оптичні та спектрометричні характеристики матеріалів (кристалів та плівок Cd1-хZnхTe), що використовуються для виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання для прогнозування процесів радіаційної деградації їх властивостей (спектральних і дозиметричних). На основі комплексу контролю якості і однорідності матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання створене обладнання для дослідження їх домішково-дефектного складу до та після дії іонізуючого випромінювання, що дозволить дати рекомендації про продовження радіаційних ресурсів напівпровідникових детекторів. Об'єктом випробовування експрес-діагностики були кристали та плівки Cd1-хZnхTe . На підставі теоретично обгрунтованих фізичних основ методу люмінесцентної діагностики напівпровідникових матеріалів для визначення складу Cd1-xZnxTe (x 0.28) із вимірів при 4.2, 77 та 300 К отримані калібровочні залежності положення максимумів h m смуг крайової люмінесценції від х. Проведений детальний аналіз люмінесцентного методу визначення складу Cd1-xZnxTe показує, що спостерігається певна неточність визначення складу х вказаним методом. Знайдені неточності визначення х з'являються: а) завдяки деяким невідомим факторам, що змінюють положення максимуму смуг випромінювання, індукованих зв'язаними екситонами; б) якщо природа центрів випромінювання (електронних переходів), відповідальних за проаналізовані значення h m , надійно не встановлена. Практична значимість проекту полягає у можливості попередньої оцінки якості і відбору матеріалу, прогнозуванні його властивостей, що спрощує процес створення детекторів і збільшує процент виходу якісних приладів. Результати НДР можуть бути використані в таких сферах: електронній промисловості, охорона навколишнього середовища, наука, медицина. НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ, СПОЛУКИ CdZnTe, ВИЗНАЧЕННЯ СКЛАДУ Cd1-xZnxTe, ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ДЕТЕКТОРИ ІОНІЗУЮЧОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ Опис продукції Метою проекту є адаптація методу люмінесцентної експрес-діагностики для дослідження впливу іонізуючого опромінення на оптичні та спектрометричні характеристики матеріалів (кристалів та плівок Cd1-хZnхTe), що використовуються для виготовлення детекторів іонізуючого випромінювання для прогнозування процесів радіаційної деградації їх властивостей (спектральних і дозиметричних). На основі комплексу контролю якості і однорідності матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання створене обладнання для дослідження їх домішково-дефектного складу до та після дії іонізуючого випромінювання.Об'єктом випробовування експрес-діагностики були кристали та тонкі плівки CdZnTe. Автори роботи Воробкало Ф.М. ГлинчукК.Д. Ляпін О.М. Стрільчук О.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Глинчук Костянтин Давидович, Стрільчук Оксана Миколаївна. Розроблення і створення комплексу експресного контролю параметрів матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U002590
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18