Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U003442, 0114U000677 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення технологій вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- і мікроелектронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 13-02-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Виготовлено та вивчено електролюмінісцентні властивості на гетероструктурах a-SiOC:H/Si з використанням в якості активного випромінюючого шару плівки a-SiOC:H збагачені вуглецем, і плівок ZnO як напівпрозорого електричного контакту. Вивчено зміцнюючі та антикорозійні властивості покриттів a-SiOC:H осаджених методом реактивного магнетронного розпилення на високотемпературно-стійку кераміку. Відпрацьовано методику осадження тонких плівок a-C(:Si:O:H) в режимі високого тиску і низької потужності магнетронного розряду для підвищення ступеня пористості структури плівок і підвищення ефективності фотолюмінесценції (ФЛ). Показано, що такі плівки мають високу ефективність фотолюмінесценції в ближній УФ і всій видимій області. Проведено дослідження спектральних властивостей фотолюмінесценції. Показано, що спектр ФЛ складається з двох широких смуг з максимумами близько 360-380 нм та 450-500 нм. Відносний внесок в загальну інтенсивність залежить від протоку метану в процесі осадження. Опис продукції Створення технологій вирощування наноструктурованих матеріалів на основі кремнію та вуглецю для оптоелектричних і мікроелектронних приладів. Автори роботи Євтух Валерій Анатолієвич Васін Андрій Володимирович Назаров Олексій Миколайович Русавський Андрій Вадимович Смірна Віра Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити