Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U005325, 0118U004593 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія покращення характеристик сонячних елементів осадження алмазоподібних плівок Назва етапу роботи Керівник роботи Клюй Микола Іванович, Дата реєстрації 11-09-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу В результаті виконання 1 етапу встановлено, що для одношарового просвітлення кремнієвих сонячних елементів (СЕ) доцільно використовувати плівки a-SiCx, в тому числі леговані азотом. Алмазоподібні вуглецеві плівки, показник заломлення яких в області фоточутливості кремнієвих СЕ може досягати значень 1,5-1,75 можуть використовуватись в комбінації з плівками a-SiCx для двошарового просвітлення таких СЕ. Запропоновано використовувати новий клас плівок a-SiCx, а саме плівки, що містять азот (a-SiC:H:N), що дозволить керувати електричними властивостями плівок і використовувати їх при створенні НІТ-сонячних елементів. Опис продукції Автори роботи Душейко Михайло Григорович Клюй Микола Іванович Лозінський Володимир Борисович Лук"янов Анатолій Миколайович Северінова Ірина Дмитрівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Клюй Микола Іванович. Технологія покращення характеристик сонячних елементів осадження алмазоподібних плівок. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0218U005325
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17