Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U005395, 0118U006422 , Науково-дослідна робота Назва роботи Чисельне моделювання когерентного випромінювання в пачках багатьох контактів Джозефсона та розробка теорії електричних властивостей багатошарових багатокластерних систем "надпровідник – напівпровідник з нанокластерами металу – надпровідник" Назва етапу роботи Керівник роботи Гриб Олександр Миколайович, Дата реєстрації 19-11-2018 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкти теоретичних досліджень: когерентне випромінювання пачки контактів Джозефсона, які складається з шарів низькотемпературних надпровідників, розділених гібридними бар'єрами з напівпровідника та нормального металу. Мета роботи - розробка теорії когерентного випромінювання в пачках довгих контактах Джозефсона, створених з низькотемпературних надпровідників з гібридними бар'єрами. Метод дослідження - математичне моделювання електричних властивостей пачок довгих контактів Джозефсона. Чисельними методами розраховані електричні характеристики пачок з різною кількістю довгих контактів Джозефсона (до шести) з неоднорідним розподілом критичних струмів вздовж контактів, сходинок нульового поля на вольт-амперних характеристиках та потужність когерентного випромінювання на цих сходинках. За допомогою моделі апроксимована похідна виміряної в експерименті вольт-амперна характеристика гетероструктури MoRe-Si(W)-MoRe. Показано, що особливості на похідній зумовлено появою сходинок нульового поля. Результати досліджень можуть бути використаними для розробки малопотужних джерел випромінювання для використання у фізиці. Опис продукції Чисельними методами розраховані електричні характеристики пачок з різною кількістю довгих контактів Джозефсона (до шести) з неоднорідним розподілом критичних струмів вздовж контактів, сходинок нульового поля на вольт-амперних характеристиках та потужність когерентного випромінювання на цих сходинках. За допомогою моделі апроксимована похідна виміряної в експерименті вольт-амперна характеристика гетероструктури MoRe-Si(W)-MoRe. Показано, що особливості на похідній зумовлено появою сходинок нульового поля. Автори роботи О. М. Гриб Р. В. Вовк С. В. Савич Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Чисельне моделювання когерентного випромінювання в пачках багатьох контактів Джозефсона та розробка теорії електричних властивостей багатошарових багатокластерних систем "надпровідник – напівпровідник з нанокластерами металу – надпровідник"
Керівник: Гриб Олександр Миколайович. Чисельне моделювання когерентного випромінювання в пачках багатьох контактів Джозефсона та розробка теорії електричних властивостей багатошарових багатокластерних систем "надпровідник – напівпровідник з нанокластерами металу – надпровідник". (Етап: ). Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна. № 0218U005395
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15


Роздрукувати цю сторінку