Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U006408, 0114U002520 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення і створення технологій вирощування багатошарових дифракційних граток для оптохімічних сенсорів та їх апробація на підприємствах електронної техніки" Етап 3 : "Розробка конструкторської та технологічної документації на оптохімічний сенсор на основі бар'єра Шотткі" Назва етапу роботи Керівник роботи Дмитрук Микола Леонтійович, Дата реєстрації 07-05-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Оптимізовано параметри та технологія виготовлення поляризаціно-чутливих плазмон-поляритонних фотодетекторів на основі бар'єра Шотткі Au/n-GaAs, Au/n-Si з антикорельованим рельєфом металевої плівки для створення оптохімічних сенсорів. Проведене чисельне моделювання чутливості показало, що при зміні форми поперечного перерізу халькогенідних дротів можна досягти суттєвого підвищення чутливості інтенсивності сигналу до зміни довжини хвилі dT/dL. Максимальна чутливість dT/dL=0.1нм-1 отримана для структури з трапецевидним профілем халькогенідного дроту з відношенням меншої основи трапеції до більшоі 0.2, що в 3 рази більше, ніж для еквівалентного синусоїдального профілю, чутливість якого складає dT/dL=0.034 нм^-1. На підкладці n-GaAs із легуванням 1.2x10^16см^-3 та n- Si з легуванням ~10^14см^-3 виготовлено елементи з оптимальними геометричними параметрами антикорельованого рельєфу (період 749 нм, глибина модуляції 80 нм, шпаруватість 1:1, трапецієвидний профіль штриха). Отримано такі електрофізичні параметри фотодетекторів на базі GaAs: висота бар'єра 1.0 еВ; довжина дифузії неосновних носіїв заряду Lp=0.3 мкм, параметр неідеальності бар'єра n=1.2. Величина фоточутливості в максимумі поверхневого плазмон-поляритонного резонансу S=0.12 А/Вт, поляризаційна чутливість ip/is=6. Поляризаційно-чутливі фотодетектори на базі Si мають такі електрофізичні параметри: висота бар'єра ~0.6 еВ, параметр неідеальності бар'єра n=1.5. Величина фоточутливості в максимумі плазмонного резонансу S=0.125 А/Вт, поляризаційна чутливість ip/is=4.2. Розроблені оптохімічні сенсори на базі таких фотодетекторів і плівок резорцинол[4]каліксарена показали граничну чутливість до наявності парів етанолу в повітрі, на рівні 75 ppm. Опис продукції Описано технологію виготовлення поляризаціно-чутливих плазмон-поляритонних фотодетекторів на основі бар'єра Шотткі Au/n-GaAs, Au/n-Si з антикорельованим рельєфом металевої плівки для створення оптохімічних сенсорів (ОХС). На підкладці n-GaAs із легуванням 1.2x10^16см^-3 та n- Si з легуванням ~10^14см^-3 виготовлено елементи з оптимальними геометричними параметрами антикорельованого рельєфу (період 749 нм, глибина модуляції 80 нм, шпаруватість 1:1, трапецієвидний профіль штриха). Отримано такі параметри фотодетекторів на базі GaAs: висота бар'єра U=1.0 еВ; довжина дифузії неосновних носіїв заряду Lp=0.3 мкм, параметр неідеальності бар'єра n=1.2. Величина фоточутливості в максимумі поверхневого плазмон-поляритонного резонансу S=0.12 А/Вт, поляризаційна чутливість ip/is=6. Для Si: U~0.6 еВ, n=1.5, S=0.125 А/Вт, ip/is=4.2. Розроблені ОХС на базі таких фотодетекторів і плівок резорцинол[4]каліксарена показали граничну чутливість до наявності парів етанолу в повітрі, на рівні 75 ppm. Автори роботи Коровін Олександр Вадимович Мамикін Сергій Васильович Соснова Марія Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити