Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U006888, 0116U008069 , Науково-дослідна робота Назва роботи Наноструктуровані та полікристалічні РЗМ-вмісні матеріали для сцинтиляторів, сенсорів та енергоощадних технологій Назва етапу роботи Керівник роботи Шпотюк Ярослав Олегович, Дата реєстрації 05-10-2018 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Метою роботи є цілеспрямована зміна характеристик та властивостей сенсорних матеріалів і пристроїв на їх основі, яка включає в себе: встановлення взаємозв'язків між умовами отримання, дефектною структурою і особливостями спектрально-люмінесцентних характеристик у нанооб'єктах на основі оксидів галатів та вольфраматів; отримання високоефективних фотонних середовищ на основі халькогенідів; РЗМ-вмісних купратів та манганатів, а також модифікація їхніх кристалічних структур шляхом часткових заміщень атомів; матеріалів анодів літієвих і металогідридних акумуляторів для досягнення вищих питомих характеристик, нижчої вартості і вищої цикльованості порівняно з застосованими в промисловості. Методи дослідження - синтез експериментальних зразків, рентгенофазовий, рентгеноструктурний, мікроструктурний, локальний рентгеноспектральний, спектрально-люмінесцентний аналіз, електрохімічне гідрування, диференціальна скануюча калориметрія, спектроскопія глибоких рівнів. Підібрано та оптимізовано умови синтезу складних купратів та манганатів методом твердофазної реакції з метою отримання якісних полікристалічних зразків. Синтезовано та підтверджено кристалічну структуру, встановлено фазовий склад серій зразків MgGa2O4, MgGa2O4:Mn, MgGa2O4:Mn, Eu, ZnGa2O4:Mn, ZnGa2O4:Mn, Eu, Mg1-xZnxGa2O4:Mn та Mg1 xZnxGa2O4:Mn, Eu. РЕМ та ТЕМ зображення засвідчили гомогенність отриманих зразків та рівномірний розподіл домішок РЗМ у об'ємі кераміки. Показано, що в стеклах системи Gax(As0.40Se0.60)100-х при збільшенні вмісту Ga відбувається збільшення твердості та модулю Юнга. Показано, що в стеклах з вмістом Ga менше 3 ат. %, домінує позитронне захоплення на внутрішніх порожнинах між пірамідальними комплексами AsSe3/2. Спостерігається збільшення часу життя, пов'язаного з дефектами, від 0,360 до 0,382 нс. Вивчено взаємодію компонентів у системах SrO-R2O3-MnO, Ba-Mn-O, R-Mn-O, BaO-Tb2O3-CuO, Ce-Zr-Sb, Gd-Zr-Sb. Синтезовано нові сполуки (Sr,R)FeO3 (R = Tb, Ho, Er) зі структурою перовскіту. Синтезовано і досліджено інтерметалічні фази, які можуть бути використані у літієвих і металогідридних акумуляторах. Досліджено їхню електрохімічну поведінку у ролі анодних матеріалів. Виявлений значний позитивний вплив легування Sn на заряд-розрядні характеристики. Опис продукції В даній НДР отримано нові системи халькогенідних стекол легованих іонами рідкісноземельних металів; галійвмісні оксиди та вольфрамати з домішками РЗМ; купрати серії (M, R)2Cu2O3-CuO2 та манганати систем M-R-Mn-O; РЗМ-вмісні змішані оксиди з елементами IV-ої групи; РЗМ- і літійвмісні інтерметаліди перехідних металів а також проведено вхідну характеризацію даних обєктів. Запропоновано хімічні склади з оптимальними фізико-хімічними властивостями для подальших досліджень. Автори роботи Заремба Оксана Іванівна Кравець Олег Петрович Кушлик Маркіян Олегович Лис Роман Мирославович Лук'янов Михайло Юрійович Ощаповський Ігор Валентинович Сенчук Олександр Юрійович Сливка Юрій Іванович Слободзян Дмитро Петрович Тарасюк Іван Іванович Шпотюк Ярослав Олегович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити