Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0218U100023, 0118U004150 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології підвищення радіаційної стійкості кристалів Cd(Zn)Te для збільшення радіаційного ресурсу детекторів іонізуючого випромінювання на їх основі Назва етапу роботи Керівник роботи Насєка Юрій Миколайович, Дата реєстрації 17-12-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Проведено легування кристалів CdZnTe домішками In та Ge для компенсації радіаційних дефектів. Вибір домішок зумовлений близькістю іонних радіусів атомів Cd (0.97 Å) та In і Ge, 0.93 Å 0.92 Å, відповідно. Проведено електронне опромінення зазначених легованих та нелегованих кристалів. Енергія електронів 1МеВ, флюенс - 5×1014 см-2, еквівалентна доза опромінення – 110 кГр. Методами ФЛ та КРС визначено дефектно-домішковий склад нелегованих, легованих та опромінених кристалів Cd0.96Zn0.04Te кристалів. Для порівняння радіаційного і термічного ефектів на дефектну структуру легованих та нелегованих кристалів проведено їх ізотермічні відпали при температурах 100 та 200 ºС. Показано, що відпали при вказаних температурах не мають суттєвого впливу на кристалічну якість неопромінених кристалів, проте у випадку опромінених – приводять до відновлення вихідного дефектно-домішкового стану. Опис продукції Розробка спрямована на створення та вдосконалення вітчизняної технології продовження часу експлуатації (радіаційного ресурсу) детекторів іонізуючого (рентгенівського та гамма-) випромінювання. Розробка направлена на пошук ефективних технологічних процесів, які запобігатимуть радіаційному старінню матеріалів чутливих елементів детекторів, які застосовуються для моніторингу навколишнього середовища на об'єктах АЕС. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити