Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0218U100038, 0118U004151 , Науково-дослідна робота Назва роботи Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення Назва етапу роботи Керівник роботи Ніколенко Андрій Сергійович, Дата реєстрації 18-12-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Оптимізовано технології синтезу наноструктур n-ZnO на підкладках р-GaN методами вирощуванням з парової фази та гідротермічним синтезом та отримано нано- та мікроструктури ZnO при умовах оптимальних для вирощування наноструктур стовпчастого типу. Досліджено морфологію поверхні зразків. Оптимізовано методики процесування та нанесення електричних контактів до світлодіодних гетероструктур, проведено їх електрофізичну характеризацію та вимірювання спектрів електролюмінесценції в залежності від величини та напрямку напруги зміщення. Отримані спектри розглянуто в колірних координатах і визначено, що найбільш приязне для ока тепле біле світло отримується в випадку гетероструктур з n-ZnO вирощених методом осадження з парової фази на підкладках з p-GaN. Проведено аналіз залежності інтенсивності електролюмінесценції від струму інжекції та встановлено вплив центрів безвипромінювальної рекомбінації. Вивчено вплив часу перемішування на електрофізичні та випромінювальні характеристики діодних гетероструктур n-ZnO/p-GaN, отриманих гідротермічним синтезом. Досліджено вплив швидкого термічного відпалу на структурні та оптичні властивості імплантованих іонами Mn наноструктур ZnO. Досліджено вплив p-типу легування Al-N та термічного відпалу на структурні, оптичні та електронні властивості плівок ZnO:Al,N. Опис продукції Розробка спрямована на вирішення однієї із актуальних проблем сучасного матеріалознавства, а саме – дослідження фізичних властивостей нанорозмірних структур оксиду цинку (ZnO) для подальшого можливого застосування в новітніх високоефективних ультрафіолетових джерелах випромінювання та енергоощадних системах освітлення. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Ніколенко Андрій Сергійович. Новітні світлодіодні гетероструктури на основі наноструктур n-ZnO та епітаксійних шарів p-GaN для високоефективних ультрафіолетових джерел випромінювання та енергоощадних систем освітлення. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0218U100038
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16